中等职业教育国家规划教材?全国中等职业教育教材审定委员会审定：多媒体技术应用（第3版）（附光盘1张）

　　第1章 集成电路设计概述
　　1.1 集成电路的发展
　　1.2 集成电路设计流程及设计环境
　　1.3 集成电路制造途径
　　1.4 集成电路设计的知识范围
　　思考题
　　第2章 集成电路材料、结构与理论
　　2.1 集成电路材料
　　2.1.1 硅
　　2.1.2 砷化镓
　　2.1.3 磷化铟
　　2.1.4 绝缘材料
　　2.1.5 金属材料
　　2.1.6 多晶硅
　　2.1.7 材料系统
　　2.2 半导体基础知识
　　2.2.1 半导体的晶体结构
　　2.2.2 本征半导体与杂质半导体
　　2.3 PN结与结型二极管
　　2.3.1 PN结的扩散与漂移
　　2.3.2 PN结型二极管
　　2.3.3 肖特基结二极管
　　2.3.4 欧姆型接触
　　2.4 双极型晶体管
　　2.4.1 双极型晶体管的基本结构
　　2.4.2 双极型晶体管的工作原理
　　2.5 MOS晶体管
　　2.5.1 MOS晶体管的基本结构
　　2.5.2 MOS晶体管的工作原理
　　2.5.3 MOS晶体管的伏安特性
　　思考题
　　本章参考文献
　　第3章 集成电路基本工艺
　　3.1 外延生长
　　3.2 掩模版的制造
　　3.3 光刻原理与流程
　　3.3.1 光刻步骤
　　3.3.2 曝光方式
　　3.4 氧化
　　3.5 淀积与刻蚀
　　3.6 掺杂原理与工艺
　　思考题
　　本章参考文献
　　第4章 集成电路器件工艺
　　4.1 双极型集成电路的基本制造工艺
　　4.1.1 双极型硅工艺
　　4.1.2 HBT工艺
　　4.2 MESFET和HEMT工艺
　　4.2.1 MESFET工艺
　　4.2.2 HEMT工艺
　　4.3 MOS和相关的VLSl工艺
　　4.3.1 PMOS工艺
　　4.3.2 NMOS工艺
　　4.3.3 CMOS工艺
　　4.4 BiCMOS工艺
　　思考题
　　本章参考文献
　　第5章 MOS场效应管的特性
　　5.1 MOS场效应管
　　5.1.1 MOS管伏安特性的推导
　　5.1.2 MOS电容的组成
　　5.1.3 MOS电容的计算
　　5.2 MOSFET的阂值电压VT
　　5.3 体效应
　　5.4 MOSFET的温度特性
　　5.5 MOSFET的噪声
　　5.6 MOSFET尺寸按比例缩小
　　5.7 MOS器件的二阶效应
　　5.7.1 L和W的变化
　　5.7.2 迁移率的退化
　　5.7.3 沟道长度的调制
　　5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化
　　5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化
　　思考题
　　本章参考文献
　　第6章 集成电路器件及SPICE模型
　　第7章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法
　　第8章 集成电路版图设计与工具
　　第9章 模拟集成电路基本单元
　　第10章 数字集成电路基本单元与版图
　　第11章 集成电路数字系统设计基础
　　第12章 集成电路的测试和封装

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