第1章 集成电路电磁兼容的基本概念
1.集成电路的电磁兼容
1.1 芯片内的EMC
1.2 外部耦合的EMC
2.集成电路的电磁兼容测量基础
2.1 骚扰测量
2.2 抗扰度试验
3. IC的EMC模型
4.总结
5.参考文献
第2章 历史与现状
1.早期的研究工作
2.1 990一1995年间ICS在集成电路EMC方面的研究
3.集成电路的敏感度（从1995年开始）
4.集成电路的寄生发射
5.集成电路EMC的标准化
5.1 测量方法
5.2 器件的EMC模型
5.3 趋于融合
6.特别事件和出版物
7.IC的发展历程
8.封装蓝图
9.EMC问题
10.总结
11.参考文献
12.参考标准
第3章 基础和理论——EMC现象的数学背景
1.基本电磁场理论
1.1 电磁辐射的物理概念
1.2 电偶极子的计算公式
1.3 磁场环的辐射
1.4 辐射功率
1.5 讨论
2.傅里叶分析
3.传输线
3.1 传输线模型
3.2 电报方程
3.3 信号在无损耗线路上的传播
3.4 负载条件
3.5 集成电路中的传输线
3.6 史密斯图
4.RLC表达式
4.1 介绍
4.2 分布式模型和集总模型
4. 3集总模型的限制
4.4 趋肤效应
4.5 互连线
5.S参数
5.1 S参数的影响
5.2 S参数的定义
5.3 S1l，S12，S2l和S22的测量
5.4 S矩阵的特性
5.5 S参数的测量
6.总结
7.参考文献
第4章 测量方法——集成电路的发射和敏感度
1.简介
2.TEM／GTEM小室方法
2.1 简述
2.2 TEM小室内IC发射测量的配置
2.3 使用TEM小室测量微处理器的辐射
2.4 GTEMFEM小室的高频变体
2.5 不同小室测量结果的相关性
3.近场扫描方法
3.1 扫描仪和定位系统
3.2 近场扫描使用的探头
3.3 集成电路发射
3.4 讨论
4.1 D／150Q传导法
5.工作台法拉第笼法
5.1 WBFC方法的适用范围
5.2 工作台法拉第笼法的基本观念
5.3 功率匹配
5.4 耦合去耦网络
5.5 测量
5.6 讨论
6.大电流注人法（BCI）
6.1 IRF输入系统的校准
6.2 测试配置
6.3 干扰
6.4.：BCI测试算法
6.5 不合格判据检测
6.6 PCB和其他硬件设置
6.7 BCI测试结果
7.直接功率注入法（DPI）
7.1 DPI测试算法
7.2 DPI测试结果
8.集成电路的瞬态抗扰度
8.1 动机
8.2 耦合路径
8.3 瞬态抗扰度环境
8.4 集成电路的测试方法
8.5 新兴的Ic测试方法
8.6 讨论
9.电波暗室内的发射和抗扰度测试
9.1 IC的远场发射
9.2 测量IC的远场电场
9.3 电波暗室内的发射测量
9.4 Ic辐射的抗扰度测试
9.5 电波暗室内的抗扰度测试
9.6 混响室内的发射和抗扰度测试
9.7 讨论
10.片上测量
10.1 片上示波器
11.集成电路的EMC测试计划
11.1 标准发射电平
11.2 抗扰度电平
12.讨论和总结
13.参考文献
第5章 EMC建模——集成电路中骚扰发射和抗扰度现象的建模概览
1.静电放电模型
1.1 简介
1.2 ESD测试模型
1.3 人体模型（HBM）
1.4 机器模型（MM）
1.5 带电器件模型（CDM）
1.6 传输线脉冲模型（TLP）
2.内部电流整流
2.1 起因
2.2 寄生发射的基本原理
3.印制电路板模型
3.1 PCB概述
3.2 PCB的标准形状和特征
4.封装
4.1 标准Ic封装技术
4.2 等效封装电路的计算
4.3 例1：中等功率IC封装
4.4 例2：Cesame芯片封装
5.发射模型
5.1 简介
5.2 ICEM模型
5.3 IBIS模型
5.4 IMIC模型——集成电路的I／O界面模型
5.5 IECCS模型：线性等效电路和电流源模型
6.输入／{俞出模型
6.1 简介
6.2 I／O的模块描述
6.3 缓冲器模型
6.4 I／O模块模型
6.5 LECCS—I／O模型
7.抗扰模型
7.1 简介
7.2 仿真模型元素的介绍
7.3 仿真的设置
7.4 失败判据的定义
7.5 仿真与测量结果的比较
7.6 抗扰LECCS模型
7.7 内部抗扰分析
……
第6章 案例研究——EMC测试芯片、低发射的微控制器
第7章 准则——用于改进EMC的规程
附录
缺书网
扫码进群