微电子材料与器件制备技术

　　1 概述
　　1.1 微电子技术
　　1.2 微电子材料及其应用
　　1.3 工艺
　　1.4 器件
　　1.5 未来趋势
　　2 单晶
　　2.1 概述
　　2.2 硅
　　2.3 硅的晶体结构与性能
　　2.4 硅晶体中的缺陷和非理想状态
　　2.5 硅的晶体生长及设备
　　2.5.1 硅的纯化
　　2.5.2 直拉法生长单晶硅
　　2.5.3 区熔法生长单晶硅
　　2.5.4 外延法
　　2.5.5 生长设备
　　2.6 其他单晶
　　2.7 晶圆制备
　　3 薄膜
　　3.1 概述
　　3.2 衬底
　　3.3 多晶硅
　　3.4 非晶硅
　　3.5 硅化物
　　3.6 二氧化硅
　　3.7 金属薄膜
　　3.8 薄膜新材料
　　3.8.1 金刚石
　　3.8.2 其他
　　3.9 薄膜制备方法
　　3.9.1 物理气相沉积
　　3.9.2 蒸发和分子束外延生长
　　3.9.3 溅射
　　3.9.4 化学气相沉积
　　3.9.5 其他沉积方法
　　3.10 外延
　　3.10.1 外延的概念
　　3.10.2 外延技术的发展
　　3.10.3 异质外延
　　3.10.4 硅的CVD同质外延
　　3.10.5 外延的模拟
　　4 光刻、铸造和压印
　　4.1 概述
　　4.2 光刻掩模版
　　4.2.1 传统掩模版
　　4.2.2 相移掩模版
　　4.2.3 X射线光刻掩模版
　　4.2.4 电子束光刻镂空式模板与散射式掩模版
　　4.2.5 离子束光刻掩模版与模板
　　4.2.6 掩模版的制造、缺陷和修复
　　4.2.7 复合掩模版
　　4.3 主要光刻技术及设备
　　4.3.1 沉浸光刻
　　4.3.2 无掩模光刻技术
　　4.3.3 紫外线光刻/极紫外光刻
　　4.3.4 电子束光刻
　　4.3.5 离子束光刻
　　4.3.6 X射线光刻
　　4.3.7 设备
　　4.4 基本图形形状
　　4.5 光刻胶
　　4.5.1 光刻胶的反应机理及应用
　　4.5.2 应用性能指标
　　4.5.3 光刻胶薄膜光学
　　4.5.4 光刻胶去胶或灰化
　　4.6 表面活性剂
　　4.7 光学光刻延伸技术
　　4.7.1 上表面成像及多层胶技术
　　4.7.2 光刻图形的胶修整及化学收缩
　　4.8 光学光刻模拟
　　4.9 压印
　　4.9.1　纳米压印光刻
　　5　刻蚀与化学机械抛光
　　6　清洗与表面预处理
　　7　表面层改性
　　8　晶片键合技术
　　9　工艺集成
　　10　CMOS晶体管
　　11　MEMS工艺集成
　　12　微电子材料与器件性能测量分析
　　参考文献

　　《微电子材料与器件制备技术》以微电子材料为对象，以材料和器件的制备工艺为主线，系统、全面地介绍了微电子材料与器件制备技术的前沿问题与进展。全书主要包括微电子材料的分类及性能、微电子器件中材料的选择、不同微电子材料与器件的加工工艺以及微电子材料的性能测试技术等。
　　《微电子材料与器件制备技术》适合微电子材料与器件制备领域的工程技术人员、研发人员阅读使用，也可作为高等院校材料科学与工程、电子科学与技术、化学工程、机械设计与制造等专业师生的教学用书。