第1章 半导体的基本性质
1.1 半导体特征与晶体结构
1.1.1 半导体
1.1.2 半导体材料的基本特性
1.1.3 半导体的晶体结构
1.1.4 化合物半导体的极性
1.2 半导体的能带
1.2.1 原子的能级和晶体的能带
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.3 半导体中电子的运动
1.4 典型半导体的能带结构
1.4.1 硅和锗的能带结构
1.4.2 砷化镓的能带结构
1.5 半导体材料简介
1.5.1 元素半导体
1.5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
1.5.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
1.5.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体
1.5.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体
1.5.6 氧化物半导体
1.5.7 多元化合物半导体
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质
2.1.2 施主杂质和施主能级
2.1.3 受主杂质和受主能级
2.1.4 杂质的补偿作用
2.1.5 深能级杂质
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷和位错能级
2.3.1 缺陷
2.3.2 位错
2.4 硅单晶中位错、层错的观察
2.4.1 位错
2.4.2 层错
2.4.3 位错和层错的观察
第3章 平衡态半导体中载流子的统计分布
3.1 费米能级及载流子的统计分布
3.1.1 费米分布函数
3.1.2 玻耳兹曼分布函数
3.1.3 半导体载流子统计分布
3.1.4 半导体载流子浓度
3.1.5 载流子浓度乘积
3.2 本征半导体的载流子浓度
3.3 杂质半导体的载流子浓度
3.3.1 杂质能级上的量子态
3.3.2 载流子浓度
3.3.3 多数载流子浓度与少数载流子浓度
3.4 费米能级随温度的变化关系
3.4.1 杂质半导体载流子浓度与温度的关系
3.4.2 杂质半导体费米能级与温度及杂质浓度的关系
3.5 简并半导体
3.5.1 筒并半导体中载流子浓度
3.5.2 简并化的条件
3.5.3 禁带变窄效应
3.6 杂质浓度及其分布的测量
第4章 半导体的导电性
4.1 载流子的运动
4.1.1 欧姆定律
4.1.2 漂移运动和迁移率
4.1.3 电导率和迁移率
4.1.4 载流子散射
4.1.5 半导体的主要散射机构
4.1.6 其他因素引起的散射
4.2 杂质浓度、温度对迁移率和电阻率的影响
4.2.1 平均自由时间和散射几率的关系
4.2.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系
……
第5章 非平衡载流子运动规律
第6章 pn结
参考文献
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