高科实用电力电子技术丛书：MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用
第1章 电力场效应晶体管的基本特性及对驱动电路的要求
1.1 概述
1.2 电力场效应晶体管的基本结构和工作原理
1.3 电力场效应晶体管的基本特性
1.4 电力MOSFET的主要技术参数
1.5 电力MOSFET对驱动电路的要求
1.6 高速MOSFET驱动器设计中应考虑的问题
1.6.1 高速开关过程对驱动电路的要求
1.6.2 MOSFET开关过程的功率损耗
1.6.3 栅-源极有效电容的计算及驱动电流的确定
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1.1 概述
1.2 电力场效应晶体管的基本结构和工作原理
1.3 电力场效应晶体管的基本特性
1.4 电力MOSFET的主要技术参数
1.5 电力MOSFET对驱动电路的要求
1.6 高速MOSFET驱动器设计中应考虑的问题
1.6.1 高速开关过程对驱动电路的要求
1.6.2 MOSFET开关过程的功率损耗
1.6.3 栅-源极有效电容的计算及驱动电流的确定
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李宏，1960年5月出生，陕西乾县人，西安石油大学教授，博士生副导师，中国电工技术学会电力电子学会理事，中国电[技术学会电气节能研究会理事，中国电源学会特种电源专业委员会常务委员，中国电[技术学会电力电子学会学术委员会委员，陕西省电源学会常务理事，西安石油大学学术委员会委员，《电力电子技术》、
《高科实用电力电子技术丛书：MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参数及其对驱动电路的要求的基础上，介绍电力MOSFET及IGBT的80多种集成驱动电路的基本特性和主要参数，重点讨论50多种电力MOSFET及IGBT栅极驱动电路的引脚排列、内部结构、工作原理、主要技术参数和应用技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电子变流系统专用驱动控制板的应用实例，而且对这些具体实例的电路工作原理、正常工作波形、技术参数和应用技术进行较为细致的讨论。这些实例均为作者研制，且已批量投入工程实际应用，极具实用性和代表性。 《高科实用电力电子技术丛书：MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》是从事主功率器件为电力MOSFET和IGBT的电力电子变流设备及特种电源的设计、调试、安装和制造及研究开发的工程技术人员不可多得的实用参考书，亦适合高等院校电力电子及相关专业的广大师生参考。
第1章 电力场效应晶体管的基本特性及对驱动电路的要求
1.1 概述
1.2 电力场效应晶体管的基本结构和工作原理
1.3 电力场效应晶体管的基本特性
1.4 电力MOSFET的主要技术参数
1.5 电力MOSFET对驱动电路的要求
1.6 高速MOSFET驱动器设计中应考虑的问题
1.6.1 高速开关过程对驱动电路的要求
1.6.2 MOSFET开关过程的功率损耗
1.6.3 栅-源极有效电容的计算及驱动电流的确定
1.6.4 驱动电路方案的选择
第2章 电力场效应晶体管专用栅极驱动集成电路
2.1 概述
2.2 IR2101带有欠压封锁功能的半桥电力MOSFET驱动器
2.2.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.2.2 内部结构和工作原理
2.2.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
2.2.4 应用技术
2.3 IR2110具有两路输出的大电流桥臂电力MOSFET栅极驱动器
2.3.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.3.2 内部结构和工作原理
2.3.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
2.3.4 应用技术
2.4 IR2117单通道电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.4.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.4.2 内部结构和工作原理
2.4.3 主要设计特点和极限参数
2.4.4 应用技术
2.5 IR2125带电流限制的电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.5.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.5.2 内部结构和工作原理
2.5.3 主要设计特点和参数限制
2.5.4 应用技术
2.6 IR2133/IR2135/IR2233/IR2235三相全桥中六个MOSFET的栅极驱动器集成电路
2.6.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.6.2 内部结构和工作原理
2.6.3 主要设计特点和参数限制
2.6.4 应用技术
2.7 TPS2832/TPS2833停滞时间控制同步降压MOSFET栅极驱动器集成电路
2.7.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.7.2 内部结构和工作原理
2.7.3 主要设计特点和参数限制
2.7.4 应用技术
2.8 SI9976DY桥式MOSFET栅极驱动器集成电路
2.8.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.8.2 内部结构和工作原理
2.8.3 主要设计特点和参数限制
2.8.4 应用技术
2.9 UC3724/UC3725隔离MOSFET栅极驱动器集成电路
2.9.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.9.2 内部结构和工作原理
2.9.3 主要设计特点和参数限制
2.9.4 应用技术
2.10 EL7202C/EL7212C/EL7222C高速双路电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.10.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.10.2 内部结构和工作原理
2.10.3 主要设计特点和参数限制
2.10.4 应用技术
2.11 HT04高压隔离MOSFET栅极驱动器集成电路
2.11.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.11.2 内部结构和工作原理
2.11.3 主要设计特点和参数限制
2.11.4 应用技术
2.12 TLP250光电隔离单MOSFET栅极驱动器集成电路
2.12.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.12.2 内部结构和工作原理
2.12.3 主要设计特点和参数限制
2.12.4 应用技术
2.13 MC34151/MC33151/MC34152/MC33152高速双路电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.13.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.13.2 内部结构和工作原理
2.13.3 主要设计特点和参数限制
2.13.4 应用技术
2.14 MDC1100A具有集成门电路钳位的MOSFET关断器集成电路
2.14.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.14.2 内部结构和工作原理
2.14.3 主要设计特点和参数限制
2.14.4 应用技术
2.15 IRS21844带驱动信号封锁功能和死区时间设置的大电流半桥MOSFET驱动器
2.15.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.15.2 内部结构和工作原理
2.15.3 主要设计特点和参数限制
2.15.4 应用技术与典型应用举例
2.16 IRS2127带电流限制的单管MOSFET栅极驱动器集成电路
2.16.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.16.2 内部结构和工作原理
2.16.3 主要设计特点和参数限制
2.16.4 应用技术与典型应用举例
2.17 L6390高电压低端驱动器集成电路
2.17.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.17.2 内部结构和工作原理
2.17.3 主要设计特点和参数限制
2.17.4 应用技术与典型应用举例
2.18 TD352前置电力MOSFET驱动器集成电路
2.18.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.18.2 内部结构和工作原理
2.18.3 主要设计特点和参数限制
2.18.4 应用技术与典型应用举例
第3章 电力MOSFET集成驱动器应用举例
3.1 概述
3.2 MTC3.1型电力MOSFET栅极驱动板
3.2.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.2.2 电路构成及工作原理
3.2.3 主要设计特点和参数限制
3.2.4 应用技术
3.3 MTC3.2单相半桥电力MOSFET驱动板
3.3.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.3.2 电路构成及工作原理
3.3.3 主要设计特点和参数限制
3.3.4 应用技术
3.4 MTC3.4电力MOSFET单相全桥驱动板
3.4.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.4.2 电路构成及工作原理
3.4.3 主要设计特点和参数限制
3.4.4 应用技术
3.5 MTC3.6三相全桥电力MOSFET驱动板
3.5.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.5.2 电路构成及工作原理
3.5.3 主要设计特点和参数限制
3.5.4 应用技术
第4章 绝缘栅控双极型晶体管的基本特性及对栅极驱动电路的要求
4.1 IGBT的基本结构和工作原理
4.1.1 基本结构
4.1.2 电路图形符号
4.1.3 工作原理
4.2 IGBT的基本特性
4.2.1 静态特性
4.2.2 动态特性
4.2.3 擎住效应
4.2.4 安全工作区
4.2.5 栅极特性
4.3 IGBT的主要技术参数
4.4 绝缘栅控双极型晶体管对驱动电路的要求
4.4.1 IGBT对栅极驱动的特殊要求
4.4.2 IGBT栅极驱动器应满足的条件
4.4.3 栅极串联电阻及栅极驱动电压的上升、下降速率
4.4.4 栅极驱动电路举例
第5章 绝缘栅控双极型晶体管栅极驱动控制专用集成电路
5.1 概述
5.2 HL401AIGBT厚膜集成驱动器
5.2.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.2.2 内部结构及工作原理
5.2.3 主要设计特点和参数限制
5.2.4 应用技术与典型应用举例
5.3 HL402A(B)具有自保护功能的IGBT厚膜驱动器集成电路
5.3.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.3.2 内部结构及工作原理
5.3.3 主要设计特点和参数限制
5.3.4 应用技术与典型应用举例
5.4 HL403A(B)可驱动600AIGBT模块的厚膜集成驱动器
5.4.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.4.2 内部结构及工作原理
5.4.3 主要设计特点和参数限制
5.4.4 应用技术及典型应用举例
5.5 UC1727/UC2727/UC3727隔离高端IGBT集成驱动器
5.5.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.5.2 内部结构及工作原理
5.5.3 主要设计特点和参数限制
5.5.4 应用技术与典型应用举例
5.6 HR065IGBT栅极驱动器集成电路
5.6.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.6.2 内部结构及工作原理
5.6.3 HR065的设计特点及与EXB系列电路的对照
5.6.4 应用技术与典型应用举例
5.7 EXB系列IGBT厚膜驱动器集成电路
5.7.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.7.2 内部结构及工作原理
5.7.3 主要设计特点和参数限制
5.7.4 应用技术
5.8 M57957L/M57958L不含保护性能的IGBT厚膜驱动器集成电路
5.8.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.8.2 内部结构及工作原理
5.8.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.8.4 应用技术
5.9 M57959AL/M57962AL/M57959L/M57962L带保护和定时复位的IGBT厚膜驱动器集成电路
5.9.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.9.2 内部结构及工作原理
5.9.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.9.4 应用技术
5.9.5 M57959L及M57962L
5.10 M57963L混合集成IGBT驱动器集成电路
5.10.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.10.2 内部结构及工作原理
5.10.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.10.4 应用技术
5.11 GH-038高速大容量IGBT栅极驱动器集成电路
5.11.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.11.2 内部结构及工作原理
5.11.3 主要设计特点和参数限制
5.11.4 应用技术
5.12 GH-039带有过电流保护功能的高速大容量IGBT厚膜驱动器集成电路
5.12.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.12.2 内部结构及工作原理
5.12.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.12.4 应用技术
5.13 SKHI21/SKHI22性能优良的混合双IGBT驱动器集成电路
5.13.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.13.2 内部结构及工作原理
5.13.3 主要设计特点和参数限制
5.13.4 应用技术
5.14 IR21141/IR22141带IGBT退饱和保护的半桥驱动集成电路
5.14.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.14.2 内部结构及工作原理
5.14.3 主要设计特点和参数限制
5.14.4 应用技术与典型应用举例
5.15 IR21381Q/IR22381Q带退饱和及软关断保护的三相桥式IGBT栅极驱动器集成电路
5.15.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.15.2 内部结构及工作原理
5.15.3 主要设计特点和参数限制
5.15.4 应用技术与典型应用举例
5.16 2SP0115T具有完善保护功能的隔离双路大电流IGBT栅极驱动器模块
5.16.1 各插座插针的排列、名称、功能和用法
5.16.2 内部结构及工作原理
5.16.3 主要设计特点和参数限制
5.16.4 应用技术与典型应用举例
5.17 1SC2060P大电流隔离单管驱动器
5.17.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.17.2 内部结构及工作原理
5.17.3 主要设计特点和参数限制
5.17.4 应用技术与典型应用举例
5.18 TLP358××系列光电隔离大电流驱动器集成电路
5.18.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.18.2 内部结构及工作原理
5.18.3 主要设计特点和参数限制
5.18.4 应用中要特别注意的问题
第6章 IGBT栅极驱动器集成电路的具体应用举例
6.1 概述
6.2 IGC2.1型单管IGBT栅极驱动板
6.2.1 主要设计特点
6.2.2 内部结构和工作原理
6.2.3 主要电气参数和极限参数
6.2.4 应用技术和使用注意事项
6.3 IGC2.2型单相半桥IGBT栅极驱动板
6.3.1 主要设计特点
6.3.2 内部结构和工作原理
6.3.3 主要电气参数和极限参数
6.3.4 应用技术和使用注意事项
6.4 IGC2.4型单相全桥IGBT栅极驱动板
6.4.1 主要设计特点
6.4.2 内部结构和工作原理
6.4.3 主要电气参数和极限参数
6.4.4 应用技术和使用注意事项
6.5 IGC2.6型三相全桥IGBT栅极驱动板
6.5.1 主要设计特点
6.5.2 内部结构和工作原理
6.5.3 主要电气参数和极限参数
6.5.4 应用技术
6.6 IGC3.1T型单管大功率IGBT栅极驱动板
6.6.1 主要设计特点
6.6.2 内部结构和工作原理
6.6.3 主要电气参数和极限参数
6.6.4 应用技术
6.7 IGC3.2T型单相半桥大功率IGBT栅极驱动板
6.7.1 主要设计特点
6.7.2 内部结构和工作原理
6.7.3 主要电气参数和极限参数
6.7.4 应用技术
6.8 IGC3.4T型单相全桥大功率IGBT栅极驱动板
6.8.1 主要设计特点
6.8.2 内部结构和工作原理
6.8.3 主要电气参数和极限参数
6.8.4 应用技术
6.9 IGC3.6T型三相全桥大功率IGBT栅极驱动板
6.9.1 主要设计特点
6.9.2 内部结构和工作原理
6.9.3 主要电气参数和极限参数
6.9.4 应用技术
附录 电力电子变流设备介绍及选型
附录1 电力电子变流设备举例
附录2 电力电子变流设备控制板和电力电子器件驱动板选型指南
参考文献
^ 收 起
1.1 概述
1.2 电力场效应晶体管的基本结构和工作原理
1.3 电力场效应晶体管的基本特性
1.4 电力MOSFET的主要技术参数
1.5 电力MOSFET对驱动电路的要求
1.6 高速MOSFET驱动器设计中应考虑的问题
1.6.1 高速开关过程对驱动电路的要求
1.6.2 MOSFET开关过程的功率损耗
1.6.3 栅-源极有效电容的计算及驱动电流的确定
1.6.4 驱动电路方案的选择
第2章 电力场效应晶体管专用栅极驱动集成电路
2.1 概述
2.2 IR2101带有欠压封锁功能的半桥电力MOSFET驱动器
2.2.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.2.2 内部结构和工作原理
2.2.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
2.2.4 应用技术
2.3 IR2110具有两路输出的大电流桥臂电力MOSFET栅极驱动器
2.3.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.3.2 内部结构和工作原理
2.3.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
2.3.4 应用技术
2.4 IR2117单通道电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.4.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.4.2 内部结构和工作原理
2.4.3 主要设计特点和极限参数
2.4.4 应用技术
2.5 IR2125带电流限制的电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.5.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.5.2 内部结构和工作原理
2.5.3 主要设计特点和参数限制
2.5.4 应用技术
2.6 IR2133/IR2135/IR2233/IR2235三相全桥中六个MOSFET的栅极驱动器集成电路
2.6.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.6.2 内部结构和工作原理
2.6.3 主要设计特点和参数限制
2.6.4 应用技术
2.7 TPS2832/TPS2833停滞时间控制同步降压MOSFET栅极驱动器集成电路
2.7.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.7.2 内部结构和工作原理
2.7.3 主要设计特点和参数限制
2.7.4 应用技术
2.8 SI9976DY桥式MOSFET栅极驱动器集成电路
2.8.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.8.2 内部结构和工作原理
2.8.3 主要设计特点和参数限制
2.8.4 应用技术
2.9 UC3724/UC3725隔离MOSFET栅极驱动器集成电路
2.9.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.9.2 内部结构和工作原理
2.9.3 主要设计特点和参数限制
2.9.4 应用技术
2.10 EL7202C/EL7212C/EL7222C高速双路电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.10.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.10.2 内部结构和工作原理
2.10.3 主要设计特点和参数限制
2.10.4 应用技术
2.11 HT04高压隔离MOSFET栅极驱动器集成电路
2.11.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.11.2 内部结构和工作原理
2.11.3 主要设计特点和参数限制
2.11.4 应用技术
2.12 TLP250光电隔离单MOSFET栅极驱动器集成电路
2.12.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.12.2 内部结构和工作原理
2.12.3 主要设计特点和参数限制
2.12.4 应用技术
2.13 MC34151/MC33151/MC34152/MC33152高速双路电力MOSFET栅极驱动器集成电路
2.13.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.13.2 内部结构和工作原理
2.13.3 主要设计特点和参数限制
2.13.4 应用技术
2.14 MDC1100A具有集成门电路钳位的MOSFET关断器集成电路
2.14.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.14.2 内部结构和工作原理
2.14.3 主要设计特点和参数限制
2.14.4 应用技术
2.15 IRS21844带驱动信号封锁功能和死区时间设置的大电流半桥MOSFET驱动器
2.15.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.15.2 内部结构和工作原理
2.15.3 主要设计特点和参数限制
2.15.4 应用技术与典型应用举例
2.16 IRS2127带电流限制的单管MOSFET栅极驱动器集成电路
2.16.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.16.2 内部结构和工作原理
2.16.3 主要设计特点和参数限制
2.16.4 应用技术与典型应用举例
2.17 L6390高电压低端驱动器集成电路
2.17.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.17.2 内部结构和工作原理
2.17.3 主要设计特点和参数限制
2.17.4 应用技术与典型应用举例
2.18 TD352前置电力MOSFET驱动器集成电路
2.18.1 引脚排列、名称、功能和用法
2.18.2 内部结构和工作原理
2.18.3 主要设计特点和参数限制
2.18.4 应用技术与典型应用举例
第3章 电力MOSFET集成驱动器应用举例
3.1 概述
3.2 MTC3.1型电力MOSFET栅极驱动板
3.2.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.2.2 电路构成及工作原理
3.2.3 主要设计特点和参数限制
3.2.4 应用技术
3.3 MTC3.2单相半桥电力MOSFET驱动板
3.3.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.3.2 电路构成及工作原理
3.3.3 主要设计特点和参数限制
3.3.4 应用技术
3.4 MTC3.4电力MOSFET单相全桥驱动板
3.4.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.4.2 电路构成及工作原理
3.4.3 主要设计特点和参数限制
3.4.4 应用技术
3.5 MTC3.6三相全桥电力MOSFET驱动板
3.5.1 对外引线的排列、名称、功能及用法
3.5.2 电路构成及工作原理
3.5.3 主要设计特点和参数限制
3.5.4 应用技术
第4章 绝缘栅控双极型晶体管的基本特性及对栅极驱动电路的要求
4.1 IGBT的基本结构和工作原理
4.1.1 基本结构
4.1.2 电路图形符号
4.1.3 工作原理
4.2 IGBT的基本特性
4.2.1 静态特性
4.2.2 动态特性
4.2.3 擎住效应
4.2.4 安全工作区
4.2.5 栅极特性
4.3 IGBT的主要技术参数
4.4 绝缘栅控双极型晶体管对驱动电路的要求
4.4.1 IGBT对栅极驱动的特殊要求
4.4.2 IGBT栅极驱动器应满足的条件
4.4.3 栅极串联电阻及栅极驱动电压的上升、下降速率
4.4.4 栅极驱动电路举例
第5章 绝缘栅控双极型晶体管栅极驱动控制专用集成电路
5.1 概述
5.2 HL401AIGBT厚膜集成驱动器
5.2.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.2.2 内部结构及工作原理
5.2.3 主要设计特点和参数限制
5.2.4 应用技术与典型应用举例
5.3 HL402A(B)具有自保护功能的IGBT厚膜驱动器集成电路
5.3.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.3.2 内部结构及工作原理
5.3.3 主要设计特点和参数限制
5.3.4 应用技术与典型应用举例
5.4 HL403A(B)可驱动600AIGBT模块的厚膜集成驱动器
5.4.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.4.2 内部结构及工作原理
5.4.3 主要设计特点和参数限制
5.4.4 应用技术及典型应用举例
5.5 UC1727/UC2727/UC3727隔离高端IGBT集成驱动器
5.5.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.5.2 内部结构及工作原理
5.5.3 主要设计特点和参数限制
5.5.4 应用技术与典型应用举例
5.6 HR065IGBT栅极驱动器集成电路
5.6.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.6.2 内部结构及工作原理
5.6.3 HR065的设计特点及与EXB系列电路的对照
5.6.4 应用技术与典型应用举例
5.7 EXB系列IGBT厚膜驱动器集成电路
5.7.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.7.2 内部结构及工作原理
5.7.3 主要设计特点和参数限制
5.7.4 应用技术
5.8 M57957L/M57958L不含保护性能的IGBT厚膜驱动器集成电路
5.8.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.8.2 内部结构及工作原理
5.8.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.8.4 应用技术
5.9 M57959AL/M57962AL/M57959L/M57962L带保护和定时复位的IGBT厚膜驱动器集成电路
5.9.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.9.2 内部结构及工作原理
5.9.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.9.4 应用技术
5.9.5 M57959L及M57962L
5.10 M57963L混合集成IGBT驱动器集成电路
5.10.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.10.2 内部结构及工作原理
5.10.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.10.4 应用技术
5.11 GH-038高速大容量IGBT栅极驱动器集成电路
5.11.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.11.2 内部结构及工作原理
5.11.3 主要设计特点和参数限制
5.11.4 应用技术
5.12 GH-039带有过电流保护功能的高速大容量IGBT厚膜驱动器集成电路
5.12.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.12.2 内部结构及工作原理
5.12.3 主要设计特点、参数限制和推荐工作条件
5.12.4 应用技术
5.13 SKHI21/SKHI22性能优良的混合双IGBT驱动器集成电路
5.13.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.13.2 内部结构及工作原理
5.13.3 主要设计特点和参数限制
5.13.4 应用技术
5.14 IR21141/IR22141带IGBT退饱和保护的半桥驱动集成电路
5.14.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.14.2 内部结构及工作原理
5.14.3 主要设计特点和参数限制
5.14.4 应用技术与典型应用举例
5.15 IR21381Q/IR22381Q带退饱和及软关断保护的三相桥式IGBT栅极驱动器集成电路
5.15.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.15.2 内部结构及工作原理
5.15.3 主要设计特点和参数限制
5.15.4 应用技术与典型应用举例
5.16 2SP0115T具有完善保护功能的隔离双路大电流IGBT栅极驱动器模块
5.16.1 各插座插针的排列、名称、功能和用法
5.16.2 内部结构及工作原理
5.16.3 主要设计特点和参数限制
5.16.4 应用技术与典型应用举例
5.17 1SC2060P大电流隔离单管驱动器
5.17.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.17.2 内部结构及工作原理
5.17.3 主要设计特点和参数限制
5.17.4 应用技术与典型应用举例
5.18 TLP358××系列光电隔离大电流驱动器集成电路
5.18.1 引脚排列、名称、功能和用法
5.18.2 内部结构及工作原理
5.18.3 主要设计特点和参数限制
5.18.4 应用中要特别注意的问题
第6章 IGBT栅极驱动器集成电路的具体应用举例
6.1 概述
6.2 IGC2.1型单管IGBT栅极驱动板
6.2.1 主要设计特点
6.2.2 内部结构和工作原理
6.2.3 主要电气参数和极限参数
6.2.4 应用技术和使用注意事项
6.3 IGC2.2型单相半桥IGBT栅极驱动板
6.3.1 主要设计特点
6.3.2 内部结构和工作原理
6.3.3 主要电气参数和极限参数
6.3.4 应用技术和使用注意事项
6.4 IGC2.4型单相全桥IGBT栅极驱动板
6.4.1 主要设计特点
6.4.2 内部结构和工作原理
6.4.3 主要电气参数和极限参数
6.4.4 应用技术和使用注意事项
6.5 IGC2.6型三相全桥IGBT栅极驱动板
6.5.1 主要设计特点
6.5.2 内部结构和工作原理
6.5.3 主要电气参数和极限参数
6.5.4 应用技术
6.6 IGC3.1T型单管大功率IGBT栅极驱动板
6.6.1 主要设计特点
6.6.2 内部结构和工作原理
6.6.3 主要电气参数和极限参数
6.6.4 应用技术
6.7 IGC3.2T型单相半桥大功率IGBT栅极驱动板
6.7.1 主要设计特点
6.7.2 内部结构和工作原理
6.7.3 主要电气参数和极限参数
6.7.4 应用技术
6.8 IGC3.4T型单相全桥大功率IGBT栅极驱动板
6.8.1 主要设计特点
6.8.2 内部结构和工作原理
6.8.3 主要电气参数和极限参数
6.8.4 应用技术
6.9 IGC3.6T型三相全桥大功率IGBT栅极驱动板
6.9.1 主要设计特点
6.9.2 内部结构和工作原理
6.9.3 主要电气参数和极限参数
6.9.4 应用技术
附录 电力电子变流设备介绍及选型
附录1 电力电子变流设备举例
附录2 电力电子变流设备控制板和电力电子器件驱动板选型指南
参考文献
^ 收 起
李宏，1960年5月出生，陕西乾县人，西安石油大学教授，博士生副导师，中国电工技术学会电力电子学会理事，中国电[技术学会电气节能研究会理事，中国电源学会特种电源专业委员会常务委员，中国电[技术学会电力电子学会学术委员会委员，陕西省电源学会常务理事，西安石油大学学术委员会委员，《电力电子技术》、
《高科实用电力电子技术丛书：MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参数及其对驱动电路的要求的基础上，介绍电力MOSFET及IGBT的80多种集成驱动电路的基本特性和主要参数，重点讨论50多种电力MOSFET及IGBT栅极驱动电路的引脚排列、内部结构、工作原理、主要技术参数和应用技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电子变流系统专用驱动控制板的应用实例，而且对这些具体实例的电路工作原理、正常工作波形、技术参数和应用技术进行较为细致的讨论。这些实例均为作者研制，且已批量投入工程实际应用，极具实用性和代表性。 《高科实用电力电子技术丛书：MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》是从事主功率器件为电力MOSFET和IGBT的电力电子变流设备及特种电源的设计、调试、安装和制造及研究开发的工程技术人员不可多得的实用参考书，亦适合高等院校电力电子及相关专业的广大师生参考。
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