第1章 半导体器件理论基础
1.1 半导体的电学特性
1.1.1 晶格结构与能带
1.1.2 电子与空穴
1.1.3 半导体中的杂质
1.1.4 半导体的导电性
1.2 PN结的结构与特性
1.2.1 PN结的结构
1.2.2 PN结的电压电流特性
1.2.3 PN结的电容
1.3 MOS场效应晶体管
1.3.1 MOS场效应晶体管的结构与工作原理
1.3.2 MOS管的电流电压特性
1.3.3 MOS管的电容
1.4 双极型晶体管
1.4.1 双极型晶体管的结构与工作原理
1.4.2 双极型晶体管的电流传输
1.4.3 双极型晶体管的基本性能参数
本章小结
第2章 集成电路制造工艺
2.1 硅片制备
2.1.1 单晶硅制备
2.1.2 硅片的分类
2.2 外延工艺
2.2.1 概述
2.2.2 外延工艺的分类与用途
2.3 氧化工艺
2.3.1 二氧化硅薄膜概述
2.3.2 硅的热氧化
2.4 掺杂工艺
2.4.1 扩散
2.4.2 离子注入
2.5 薄膜制备工艺
2.5.1 化学气相淀积
2.5.2 物理气相淀积
2.6 光刻技术
2.6.1 光刻工艺流程
2.6.2 光刻胶
2.7 刻蚀工艺
2.8 CMOS集成电路基本工艺流程
本章小结
第3章 操作系统与Cadence软件
3.1 UNIX操作系统
3.1.1 UNIX操作系统简介
3.1.2 UNIX常用操作
3.1.3 UNIX文件系统
3.1.4 UNIX文件系统常用工具
3.2 Linux操作系统
3.3 虚拟机
3.4 Cadence软件
3.4.1 Cadence软件概述
3.4.2 电路图的建立
3.4.3 版图设计规则
3.4.4 版图编辑大师
3.4.5 版图的建立与编辑
3.4.6 版图验证
3.4.7 DraCula DRC
3.4.8 DraCula LVS
本章小结
第4章 电阻
4.1 概述
4.2 电阻率和方块电阻
4.3 电阻的分类与版图
4.3.1 多晶硅电阻
4.3.2 阱电阻
4.3.3 有源区电阻
4.3.4 金属电阻
4.4 电阻设计依据
4.4.1 电阻变化
4.4.2 实际电阻分析
4.4.3 电阻设计依据
4.5 电阻匹配规则
本章小结
第5章 电容和电感
5.1 电容
5.1.1 概述
5.1.2 电容的分类
5.1.3 电容的寄生效应
5.1.4 电容匹配规则
5.2 电感
5.2.1 概述
5.2.2 电感的分类
5.2.3 电感的寄生效应
5.2.4 电感设计准则
本章小结
第6章 二极管与外围器件
6.1 二极管
6.1.1 二极管的分类
6.1.2 ESD保护
6.1.3 二极管匹配规则
6.2 外围器件
6.2.1 压焊块（PAD）
6.2.2 连线
本章小结
第7章 双极型晶体管
7.1 概述
7.2 发射极电流集边效应
7.3 双极型晶体管的分类与版图
7.3.1 标准双极型工艺NPN管
7.3.2 标准双极型工艺衬底PNP管
7.3.3 标准双极型工艺横向PNP管
7.3.4 BiC MOS工艺晶体管
7.4 双极型晶体管版图匹配规则
7.4.1 双极型晶体管版图基本设计规则
7.4.2 纵向晶体管设计规则
7.4.3 横向晶体管设计规则
本章小结
第8章 MOS场效应晶体管
8.1 概述
8.2 MOS管的版图
8.3 MOS晶体管版图设计技巧
8.3.1 源漏共用
8.3.2 特殊尺寸MOS管
8.3.3 衬底连接与阱连接
8.3.4 天线效应
8.4 棍棒图
8.5 MOS管的匹配规则
本章小结
第9章 集成电路版图设计实例
9.1 常用版图设计技巧
9.2 数字版图设计实例
9.2.1 反相器
9.2.2 与非门和或非门
9.2.3 传输门
9.2.4 三态反相器
9.2.5 多路选择器
9.2.6 D触发器
9.2.7 二分频器
9.2.8 一位全加器
……
参考文献
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