全国高等职业教育规划教材：半导体器件物理

　　出版说明前言第1章  半导体特性1.1  半导体的晶体结构1.1.1  晶体的结构1.1.2  晶向与晶面1.2  半导体中的电子状态1.2.1  能级与能带1.2.2  本征半导体的导电机制1.3  杂质与缺陷1.3.1  杂质与杂质能级1.3.2  缺陷与缺陷能级1.4  热平衡载流子1.4.1  费米能级与载流子浓度1.4.2  本征半导体的载流子浓度1.4.3  杂质半导体的载流子浓度1.5  非平衡载流子1.5.1  非平衡载流子的注入1.5.2  非平衡载流子的复合1.5.3  复合机制1.6  载流子的运动1.6.1  载流子的漂移运动与迁移率1.6.2  载流子的扩散运动与爱因斯坦关系实验一  晶体缺陷的观测实验二  少数载流子寿命的测量思考与习题第2章  PN结2.1  平衡PN结2.1.1  PN结的形成与杂质分布2.1.2  PN结的能带图2.1.3  PN结的接触电势差与载流子分布2.2  PN结的直流特性2.2.1  PN结的正向特性2.2.2  PN结的反向特性2.2.3  影响PN结伏安特性的因素2.3  PN结电容2.3.1  PN结电容的成因及影响2.3.2  突变结的势垒电容2.3.3  扩散电容2.4  PN结的击穿特性2.4.1  击穿机理2.4.2  雪崩击穿电压2.4.3  影响雪崩击穿电压的因素2.5  PN结的开关特性2.5.1  PN结的开关作用2.5.2  PN结的反向恢复时间实验三  PN结伏安特性与温度特性的测量实验四  PN结势垒电容的测量思考与习题第3章  半导体的表面特性3.1  半导体表面与Si-SiO2系统3.1.1  理想的半导体表面3.1.2  Si-SiO2系统及其特性3.1.3  半导体制造工艺中对表面的处理——清洗与钝化3.2  表面空间电荷区与表面势3.2.1  表面空间电荷区3.2.2  表面势φS3.3  MOS结构的阈值电压3.3.1  理想MOS结构的阈值电压3.3.2  实际MOS结构的阈值电压3.3.3  MOS结构的应用——电荷耦合器件3.4  MOS结构的C-U特性3.4.1  MOS电容3.4.2  理想MOS电容的C-U特性3.4.3  实际MOS电容的C-U特性3.4.4  MOS电容在集成电路中的应用3.5  金属与半导体接触3.5.1  金属-半导体接触3.5.2  肖特基势垒与整流接触3.5.3  欧姆接触3.5.4  金属-半导体接触的应用——肖特基势垒二极管实验五  MOS电容的测量实验六  肖特基势垒二极管伏安特性的测量思考与习题第4章  双极型晶体管及其特性4.1  晶体管结构与工作原理4.1.1  晶体管的基本结构与杂质分布4.1.2  晶体管的电流传输4.1.3  晶体管的直流电流放大系数4.2  晶体管的直流特性4.2.1  晶体管的伏安特性曲线4.2.2  晶体管的反向电流4.2.3  晶体管的击穿电压4.2.4  晶体管的穿通电压4.3  晶体管的频率特性4.3.1  晶体管的频率特性和高频等效电路4.3.2  高频时晶体管电流放大系数下降的原因4.3.3  晶体管的电流放大系数4.3.4  晶体管的极限频率参数4.4  晶体管的功率特性4.4.1  大电流工作时产生的3个效应4.4.2  晶体管的最大耗散功率和热阻4.4.3  功率晶体管的安全工作区4.5  晶体管的开关特性4.5.1  晶体管的开关作用4.5.2  开关晶体管的工作状态4.5.3  晶体管的开关过程4.5.4  提高晶体管开关速度的途径4.6  晶体管的版图与工艺流程4.6.1  晶体管的图形结构4.6.2  双极型晶体管的工艺流程实验七  用图示仪测试晶体管的特性曲线实验八  晶体管直流参数的测量思考与习题第5章  MOS型场效应晶体管5.1  MOS型晶体管的结构与分类5.1.1  MOS型晶体管的结构与工作原理5.1.2  MOS型晶体管的分类5.1.3  MOS型晶体管的基本特征5.1.4  集成MOS型晶体管与分立器件MOS型晶体管的异同5.2  MOS型晶体管的阈值电压5.2.1  MOS型晶体管阈值电压的定义5.2.2  理想情况下MOS型晶体管阈值电压的表达式5.2.3  影响MOS型晶体管阈值电压的各种因素5.3  MOS型晶体管的输出伏安特性与直流参数5.3.1  MOS型晶体管的输出伏安特性5.3.2  MOS型晶体管的输出伏安特性方程5.3.3  影响MOS型晶体管输出伏安特性的一些因素5.3.4  MOS型晶体管的直流参数5.3.5  MOS型晶体管的温度特性与栅保护5.4  MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数5.4.1  MOS型晶体管的交流小信号等效电路5.4.2  MOS型晶体管的交流小信号参数5.4.3  MOS型晶体管的最高工作频率fm5.4.4  MOS型晶体管开关5.5  MOS型晶体管版图及其结构特征5.5.1  小尺寸集成MOS型晶体管的版图（横向结构）5.5.2  小尺寸集成MOS型晶体管的剖面（纵向结构）5.5.3  按比例缩小的设计规则5.6  小尺寸集成MOS型晶体管的几个效应5.6.1  短沟道效应5.6.2  窄沟道效应5.6.3  热电子效应实验九  MOS型晶体管阈值电压UT的测量实验十  MOS型晶体管输出伏安特性曲线的测量思考与习题第6章  其他常用半导体器件6.1  达林顿晶体管6.2  功率MOS型晶体管6.2.1  功率MOS型晶体管的种类6.2.2  功率MOS型晶体管的版图结构与制造工艺6.3  绝缘栅双极晶体管6.3.1  IGBT的结构与伏安特性6.3.2  IGBT的工作原理6.4  发光二极管6.4.1  LED的发光原理6.4.2  LED的结构与种类6.4.3  LED的量子效率6.5  太阳电池6.5.1  PN结的光生伏特效应6.5.2  太阳电池的I-U特性与效率6.5.3  非晶硅太阳电池思考与习题附录  XJ4810型半导体管特性图示仪面板的功能参考文献

　　《全国高等职业教育规划教材：半导体器件物理》综合了半导体物理和晶体管原理两部分的内容，第1至3章介绍了半导体特性、PN结、半导体的表面特性，第4 至第5章系统阐述了双极型晶体管及其特性、MOS型场效应晶体管的结构和工作原理，第6章简要介绍了其他几种半导体器件。全书根据高等职业教育的特点来编写，在内容上侧重于物理概念与物理过程的描述，并注意与生产实践相结合，适当配置了工艺和版图方面的知识，同时在前5章编写了实验，方便选用。《全国高等职业教育规划教材：半导体器件物理》可作为高职高专微电子技术及相关专业的教材，也可供半导体行业工程技术人员参考。