功率晶体管原理

　　第1章  材料参数物理
　　1.1  半导体的晶体结构
　　1.2  能带理论
　　1.3  热平衡载流子
　　1.4  硅中载流子迁移率
　　1.5  硅的电阻率
　　1.6  寿命
　　1.7  电流方程和连续方程
　　1.8  SiC材料特性及器件工艺特点
　　习题
　　参考文献
　　第2章  PN结的击穿与终端造型技术
　　2.1  PN结空间电荷区的电场和电位分布
　　2.2  雪崩击穿
　　2.3  柱面结与球面结
　　2.4  台面终端
　　2.5  刻蚀造型与钝化
　　2.6  离子注入展宽PN结终端
　　2.7  浮置限场环
　　2.8  场板
　　2.9  限场环与场板复合结构
　　习题
　　参考文献
　　第3章  功率整流二极管
　　3.1  肖特基整流二极管
　　3.2  碳化硅肖特基势垒整流二极管
　　3.3  PIN整流二极管
　　3.4  PIN肖特基组合整流二极管（MPS）
　　习题
　　参考文献
　　第4章  双极功率晶体管
　　4.1  大注入效应
　　4.2  基区扩展效应
　　4.3  发射极电流的集边效应
　　4.4  动态开关特性
　　4.5  静态阻断特性
　　4.6  达林顿功率晶体管
　　4.7  晶体管的最大耗散功率
　　4.8  二次击穿和安全工作区
　　4.9  巨型功率晶体管的设计与制造（GTR）分析
　　习题
　　参考文献
　　第5章  功率MOSFET
　　5.1  基本结构和工作原理
　　5.2  电容—电压特性（C—V特性）
　　5.3  伏安特性
　　5.4  静态阻断特性
　　5.5  正向导通特性
　　5.6  反向导通特性
　　5.7  频率特性
　　5.8  开关特性
　　5.9  安全工作区
　　5.10  器件结构和工艺
　　5.11  碳化硅功率MOSFET
　　习题
　　参考文献
　　第6章  绝缘栅双极晶体管
　　6.1  IGBT的结构与工作原理
　　6.2  稳态阻断特性
　　6.3  正向导通特性
　　6.4  非穿通和穿通型IGBT的I—V特性
　　6.5  闩锁电流密度
　　6.6  安全工作区（S—O—A）
　　6.7  安全工作区的模拟实验分析
　　6.8  开关特性
　　6.9  开关特性的模拟实验分析
　　6.10  IGBT新结构
　　习题
　　参考文献

　　    《功率晶体管原理》首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。 《功率晶体管原理》可以作微电子技术与微电子学、电子科学与电子技术、电力电子技术专业本科生教材或教学参考书。