1 电子能谱:一些基本概念
1.1 表面分析
1.2 能谱标识方法
1.2.1 谱学家标识方法
1.2.2 X射线标识方法
1.3 x射线光电子能谱(XPS)
1.4 俄歇电子能谱(AES)
1.5 扫描俄歇电子显微镜(SAM)
1.6 电子能谱中的分析深度
1.7 比较ⅪPS和AES/SAM
1.8 表面分析设备
2 电子能谱仪构造
2.1 真空系统
2.2 样品
2.3 X射线源
2.3.1 双阳极×射线源
2.3.2 X射线单色器
2.3.3 荷电补偿
2.4 AES的电子枪
2.4.1 电子源
2.4.2 俄歇电子能谱中电子发射体的比较
2.5 电子能谱分析器
2.5.1 筒镜形分析器
2.5.2 半球形分析器
2.6 探测器
2.6 1 通道电子倍增器
2.6 2 通道板
2.7 小面积XPS
2.7.1 透镜限定小面积XPS
2.7.2 源限定小面积XPS
2.8 XPS成像和面分布成像
2.8.1 串行采集
2.8.2 平行采集
2.9 小面积XPS的横向分辨率
2.10 角分辨XPS
3 电子能谱:定性和定量诠释
3.1 定性分析
3.1.1 电子能谱中的干扰特征峰
3.1.2 数据采集
3.2 化学态信息
3.2.1 X射线光电子能谱
3.2.2 电子诱导激发俄歇电子能谱
3.2.3 俄歇参数
3.2.4 化学态图
3.2.5 震激伴峰
3.2.6 多重劈裂
3.2.7 等离激元
3.3 定量分析
3.3.1 影响电子能谱定量分析的因素
3 3.2 XPS定量分析
3.3 3 AES定量分析
4 组分深度剖析
4.1 非破坏性深度剖析方法
4.1.1 角分辨电子能谱
4.1.2 分析深度随电子动能的变化
4.2 惰性气体离子刻蚀深度剖析
4.2.1 溅射过程
4.2.2 实验方法
5 电子能谱在材料科学中的应用
6 XPS,AES与其他分析技术的比较
名词术语
附录
索引