半导体器件物理与工艺（基础版）

　　第1章 简介
　　1.1 半导体器件
　　1.2 半导体工艺技术
　　总结
　　参考文献
　　第1部分 半导体物理
　　第2章 热平衡时的能带和载流子浓度
　　2.1 半导体材料
　　2.2 基本晶体结构
　　2.3 基本晶体生长技术
　　2.4 共价健
　　2.5 能带
　　2.6 本征载流子浓度
　　2.7 施主与受主
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第3章 载流子输运现象
　　3.1 载流子漂移
　　3.2 载流子扩散
　　3.3 产生与复合过程
　　3.4 连续性方程式
　　3.5 热电子发射过程
　　3.6 隧穿过程
　　3.7 强电场效应
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第2部 分半导体器件
　　第4章 p-n结
　　4.1 基本工艺步骤
　　4.2 热平衡状态
　　4.3 耗尽区
　　4.4 耗尽层势垒电容
　　4.5 电流-电压特性
　　4.6 电荷储存与暂态响应
　　4.7 结击穿
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第5章 双极型晶体管及相关器件
　　5.1 晶体管的工作原理
　　5.2 双极型晶体管的静态特性
　　5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性
　　5.4 异质结及相关器件
　　5.5 可控硅器件及相关功率器件
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第6章 MOSFET及相关器件
　　6.1 MOS二极管
　　6.2 MOSFE2、基本原理
　　6.3 小尺寸MOSFET
　　6.4 CMOS与双极型CMOS（BiCMOS）
　　6.5 绝缘层上MOSFET（SOI）
　　6.6 MOS存储器结构
　　6.7 功率MOSFET
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第7章 光电器件
　　7.1 辐射跃迁与光的吸收
　　7.2 发光二极管
　　7.3 半导体激光
　　7.4 光探测器
　　7.5 太阳能电池
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第8章 其他半导体器件
　　8.1 金半接触
　　8.2 MESFET
　　8.3 MODFET的基本原理
　　8.4 微波二极管、量子效应和热电子器件
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　第3部分 半导体工艺
　　第9章 集成电路工艺
　　9.1 基本半导体工艺技术
　　9.2 集成工艺
　　9.3 微机电系统
　　9.4 微电子器件的挑战
　　总结
　　参考文献
　　习题
　　习题参考答案
　　附录A 符号表
　　附录B 国际单位制（SI Units）
　　附录C 单位词头
　　附录D 物理常数
　　附录E 300K时重要半导体材料的特性
　　附录F 300K时硅和砷化镓的特性

　　施敏，1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。现任台湾交通大学联华电子讲座教授，台湾纳米器件实验室主任。施敏教授是国际知名的微电子技术与半导体器件专家和教育家。他在金半接触、微波器件及次微米金氧半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他发明的非挥发性半导体存储器（NVSM）已成为带动世界集成电路产业的主导产品之一，是移动电活、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的父键部件。施敏教授著作丰厚，达12部之多，代表作Physics of Semiconductor Devices是工程和应朋科学领域的经典专著之一。该书被引用已经超过13000余次（到2001年止）。施敏教授是国际电机电子工程师学会杰出会员（IEEE Fellow）、中国工程院院士、美国国家工程院院士及“台湾中央”研究院院士。

　　微电子学及其相关技术的迅速发展，现已成为整个信息时代的标志与基础。以半导体器件为核心的电子工业，已发展成为世界上规模最大的工业。培养该专业及相关的专业人才相当重要。施敏教授所著《半导体器件物理与工艺（第二版）》的简体中文版自出版以来，被多所院校相关专业选为本科生和研究生教材，深受使用者的喜爱，得到使用院校极高的评价，现已四次重印。随着职业教育的发展，不少职业院校也开设了半导体、微电子技术、集成电路应用等专业。《半导体器件物理与工艺(基础版)》就是在《半导体器件物理与工艺（第二版）》的基础上，为了适应职业教育的培养目标和职业院校学生实际知识水平而修订改编的。
　　全书分为三个部分：第1部分半导体物理，描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第2部分半导体器件，讨论主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，介绍双极型和场效应器件、热电子和光电子器件、微波及量子器件等。第3部分半导体工艺，介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术的各个主要步骤，并特别强调其在集成电路上的应用。