电子信息与电气学科规划教材·电子科学与技术类：现代半导体集成电路

　　第1章 集成电路器件与模型
　　1.1 PN结与二极管
　　1.1.1 半导体与PN结
　　1.1.2 PN结二极管基本原理
　　1.1.3 集成化的肖特基势垒二极管
　　1.2 MOS晶体管及模型
　　1.2.1 MOS晶体管基本工作原理
　　1.2.2 MOS晶体管大信号模型及体效应
　　1.2.3 MOS晶体管小信号模型
　　1.2.4 NMOS晶体管的亚阈值特性
　　1.2.5 MOS晶体管的短沟道效应
　　1.3 双极型晶体管及模型
　　1.3.1 Bipolar晶体管基本工作原理
　　1.3.2 Bipolar晶体管大信号模型
　　1.3.3 Bipolar晶体管小信号模型
　　1.4 集成电路无源元件
　　1.4.1 CMOS集成电容
　　1.4.2 CMOS集成电阻
　　1.5 MOS Spice器件模型
　　1.5.1 Spice Levell模型
　　1.5.2 Spice Level2模型
　　1.5.3 Spice Level3模型
　　1.5.4 Spice BSIM3V3模型
　　习题一
　　第2章 集成电路制造技术
　　2.1 集成电路基本制造技术
　　2.1.1 硅晶圆的制造
　　2.1.2 氧化技术
　　2.1.3 扩散与离子注入
　　2.2 基本CMOS工艺与器件结构
　　2.2.1 基本n阱／双阱CMOS工艺步骤
　　2.2.2 CMOS版图设计规则
　　2.3 基本Bipolar工艺与器件结构
　　2.3.l PN结隔离与基本工序步骤
　　2.3.2 Bipolar版图设计规则
　　2.3.3 Bipolar工艺的光刻版次
　　2.4 基本BiCMOS工艺
　　2.4.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺
　　2.4.2 以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺
　　2.4.3 典型的BiCMOS的光刻版次
　　习题二
　　第3章 晶体管一晶体管逻辑（TTL）电路
　　3.1 六管单元TTL与非门
　　3.1.1 工作原理
　　3.1.2 电压传输特性
　　3.1.3 瞬态特性
　　3.1.4 电路特点
　　3.2 STTL和LSTTL电路
　　3.2.1 STTL电路
　　3.2.2 1 SITL电路
　　3.3 TTL门电路逻辑扩展
　　3.4 简化逻辑门
　　3.4.1 简化逻辑门
　　3.4.2 单管逻辑门
　　习题三
　　第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路
　　4.1 ECL电路
　　4.1.1 基本工作原理
　　4.1.2 射极耦合电流开关
　　4.1.3 射极输出器
　　4.1.4 参考电压源
　　4.1.5 ECL逻辑扩展
　　4.2 I2L电路
　　4.2.1 I2L电路单元工作原理
　　4.2.2 I2L电路特性分析
　　4.2.3 I2L电路逻辑组合
　　4.2.4 I2I与TTL之间的接口电路
　　4.3 ECL和I2L工艺与版图设计
　　4.3.1 ECL电路工艺与版图设计
　　4.3.2 I2L电路工艺与版图设计
　　习题四
　　第5章 双极模拟集成电路
　　5.1 Bipolar基本放大器
　　5.1.1 Darlington放大器
　　5.1.2 双极差分放大器
　　5.2 Bipolar基本模拟电路单元
　　5.2.1 恒流源
　　5.2.2 有源负载
　　5.2.3 基准源电路
　　5.3 Bipolar输出级电路
　　5.3.1 射极跟随器输出电路
　　5.3.2 AB类输出电路
　　5.4 Bipolar运算放大器（μA741）
　　习题五
　　第6章 CMOS基本逻辑电路
　　6.1 CMOS逻辑门电路
　　6.1.1 CMOS反相器
　　6.1.2 CMOS门电路
　　6.1.3 CMOS组合逻辑电路
　　6.2 CMOS传输门逻辑
　　6.2.1 CMOS传输门
　　6.2.2 CMOS传输门逻辑电路
　　6.3 CMOS触发器
　　6.3.1 CMOS RS触发器
　　6.3.2 CMOS D触发器
　　6.4 CMOS多米诺逻辑
　　6.5 CMOS施密特触发器
　　习题六
　　第7章 CMOS数字电路子系统
　　7.1 CMOS二进制加法器
　　7.1.1 串行进位加法器
　　7.1.2 超前进位加法器
　　7.2 CMOS移位寄存器
　　7.3 CMOS数字乘法器
　　7.3.1 乘法器的运算原理
　　7.3.2 并行乘法器
　　7.3.3 流水线乘法器
　　7.3.4 飞速乘法器
　　7.4 CMOS算术逻辑单元（ALU）
　　习题七
　　第8章 现代半导体存储器
　　8.1 存储器的结构
　　8.2 掩模编程只读存储器（MaskROM）
　　8.3 可编程只读存储器（PROM）
　　8.4 可擦除可编程存储器（EPROM）
　　8.5 电可擦除可编程存储器（E2PROM）
　　8.6 闪速存储器（Flash Memory）
　　8.6.1 闪速存储器的结构及工作原理
　　8.6.2 闪速存储器的可靠性问题
　　8.6.3 深亚微米闪速存储器技术
　　8.7 ROM的存取时间
　　8.8 静态随机存取存储器存储器
　　8.8.1 SRAM存储单元结构及工作原理
　　8.8.2 存储单元的主要参数
　　8.9 动态随机存取存储器DRAM）
　　8.9.1 DRAM的结构和基本原理
　　8.9.2 DRAM的主要制造技术
　　8.9.3 采用不同技术的DRAM
　　习题八
　　第9章 CMOS基本模拟电路
　　9.1 CMOS基本模拟电路单元
　　9.1.1 MOS模拟开关
　　9.1.2 有源电阻
　　9.1.3 电流沉和电流源电路
　　9.1.4 电流镜电路
　　9.2 CMOS基本模拟放大器
　　9.2.1 共源放大器
　　9.2.2 共漏放大器
　　9.2.3 共栅放大器
　　9.2.4 Cascode放大器
　　9.3 CMOS差分放大器
　　9.3.1 CMOS差分放大器的大信号特性
　　9.3.2 CMOS差分放大器的小信号特性
　　9.4 CMOS基准电压源和电流源
　　9.4.1 简单基准源
　　9.4.2 vT基准源
　　9.4.3 带隙基准源
　　习题九
　　第10章CMOS运算放大器
　　10.1 两级运算放大器
　　10.1.1 两级CMOS运放的基本电路结构
　　10.1.2 两级CMOS运放电路的补偿
　　10.1.3 两级运算放大器的设计方法
　　10.2 高速CMOS运算放大器
　　第11章  CMOS开关电容电路
　　第12章  CMOS数据转换器
　　第13章  CMOS锁相环（PLL）
　　第14章  集成电路版图设计
　　第15章  集成电路可靠性设计与可测性设计
　　第16章  片上系统（SoC）设计初步
　　参考文献

　　    《现代半导体集成电路》全面介绍了现代半导体集成电路的基础知识、分析与设计方法。全书共分为5个部分，第一部分（第1~2章）为集成电路的基础知识，主要介绍各种集成器件的结构和模型、集成电路的典型工艺。第二部分（第3~5章）为双极集成电路，包括TTL、ECL及IIL逻辑门及逻辑扩展、双极差分放大器及双极运放电路等。第三部分（第6~8章）为CMOS数字集成电路，分为CMOS基本逻辑电路、CMOS数字子系统和现代半导体存储器、第四部分（第9~13章）为CMOS模拟集成电路，包括基本模拟电路单元、运算放大器、开关电容电器、数据转换器和锁相环。第五部分（第14~16章）为半导体集成电路设计的共性知识，介绍了集成电路的版图设计、可靠性设计、可测性设计和SOC的设计方法学、软硬件协同设计及仿真等。每章后面都附有习题。《现代半导体集成电路》可作为大专院校微电子学、电子科学与技术、电子信息工程等本科专业的教材，也可供有关专业的本科生，研究生和工程技术人员阅读参考。