第二版前言
第一版前言
第一章 相平衡和界面相
1.1 相平衡
1.2 元素和合金的相图
1.3 固溶体的能量
1.4 固溶体的组态熵
1.5 界面相
1.6 界面曲率半径对压强的影响
1.7 晶体表面能、界面能和黏附能
1.8 固体表面张力的测定方法
1.9 表面能对薄膜稳定性的影响
参考文献
第二章 晶体和晶体表面的对称性
2.1 晶体的对称性
2.1.1 晶体的平移对称性（平移群）
2.1.2 14种布拉维点阵和7种晶系
2.1.3 32种点群
2.1.4 230种空间群
2.1.5 群的基本概念
2.2 晶体表面的对称性
2.2.1 晶体表面的平移对称性
2.2.2 5种二维布拉维点阵和4种二维晶系
2.2.3 10种二维点群
2.2.4 17种二维空间群
2.3 晶面间距和晶列间距公式
2.3.1 晶面间距公式
2.3.2 晶列间距公式
2.4 倒易点阵
2.4.1 三维倒易点阵
2.4.2 二维倒易点阵
2.4.3 倒易点阵矢量和晶列、晶面的关系
参考文献
第三章 晶体表面原子结构
3.1 一些晶体表面的原子结构
3.2 表面原子的配位数
3.3 表面的台面一台阶一扭折（TLK）结构
3.4 邻晶面上原子的近邻数
3.5 晶体表面能的各向异性
3.6 台阶和台面的粗糙化
参考文献
第四章 再构表面和吸附表面
4.1 再构表面和吸附表面结构的标记
4.2 半导体再构表面结构
4.2.1 Si（111）
4.2.2 Si（001）
4.2.3 Si（110）
4.2.4 Ge（111）
4.2.5 Ge（001）
4.2.6 GeSi（111）
4.2.7 GaAs（110）
4.2.8 GaAs（001）
4.2.9 GaAs（111）
4.3 金属再构表面结构
4.4 吸附表面结构
4.4.1 物理吸附和化学吸附
4.4.2 Si吸附表面
4.4.3 Ge吸附表面
4.4.4 GaAs吸附表面
4.4.5 金属的吸附表面
4.5 表面相变
参考文献
第五章 薄膜中的晶体缺陷
5.1 密堆积金属中的点缺陷
5.1.1 八面体间隙
5.1.2 四面体间隙
5.2 半导体中的点缺陷
5.2.1 四面体间隙
5.2.2 六角间隙
5.2.3 点缺陷的畸变组态
5.2.4 替代杂质原子
5.3 表面点缺陷
5.4 位错和层错
5.4.1 面心立方金属中的位错和层错
5.4.2 金刚石结构中的位错和层错
5.4.3 闪锌矿结构中的位错和层错
5.4.4 纤锌矿结构中的位错和层错
5.5 孪晶界和其他面缺陷
参考文献
第六章 外延薄膜中缺陷的形成过程
6.1 晶格常数和热膨胀系数对缺陷形成的影响
6.2 异质外延薄膜中的应变
6.2.1 外延薄膜的错配度
6.2.2 异质外延薄膜中的应变
6.3 外延薄膜中的错配位错
6.3.1 产生错配位错的驱动力
6.3.2 错配位错的成核和增殖
6.4 岛状薄膜中的应变和错配位错
6.5 外延薄膜中其他缺陷的产生
参考文献
第七章 薄膜中的扩散
7.1 扩散的宏观定律和微观机制
7.2 短路扩散
7.3 半导体晶体中的扩散
7.4 短周期超晶格中的互扩散
7.5 反应扩散
7.6 表面扩散
7.6.1 表面扩散的替代机制
7.6.2 表面扩散系数
7.6.3 增原子落下表面台阶的势垒
7.7 表面扩散的实验研究方法
7.7.1 超高真空扫描隧道显微镜（STM）直接观测法
7.7.2 场离子显微镜直接观测法
7.7.3 浓度梯度法
7.7.4 表面张力引起的表面扩散
7.8 电迁移
参考文献
第八章 薄膜的成核长大热力学
8.1 体相中均匀成核
8.2 衬底上的非均匀成核
8.3 成核的原子模型
8.4 衬底缺陷上成核
8.5 薄膜生长的三种模式
8.6 薄膜生长三种模式的俄歇电子能谱（AES）分析
参考文献
第九章 薄膜的成核长大动理学
9.1 成核长大的热力学和动理学
9.2 起始沉积过程的分类
9.3 成核率
9.4 临界晶核为单个原子时的稳定晶核密度
9.5 临界晶核为多个原子时的稳定晶核密度
9.6 成核长大动理学的透射电子显微镜研究
9.7 合并过程和熟化过程的影响
9.8 成核长大过程的计算机模拟
9.9 厚膜的生长
参考文献
第十章 金属薄膜的生长
第十一章 半导体薄膜的生长
第十二章 氧化物薄膜的生长
第十三章 薄膜中的分形
第十四章 薄膜的制备方法
第十五章 薄膜研究方法
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