应用正电子谱学

　　总序
　　前言
　　第1章 正电子谱学基础
　　1.1 引言
　　1.2 正电子湮没
　　1.2.1 正电子湮没图像
　　1.2.2 正电子湮没率
　　1.2.3 正电子波长
　　1.2.4 正电子在凝聚物质中的湮没
　　1.2.5 正电子在固体中的注入深度
　　1.2.6 主要正电子湮没参数
　　1.3 电子偶素的形成与湮没
　　1.3.1 电子偶素能级和大小
　　1.3.2 湮没选择定则
　　1.3.3 湮没率和寿命
　　1.3.4 湮没能谱
　　1.3.5 电子偶素的形成和俄勒模型
　　1.3.6 电子偶素探测技术
　　1.4 正电子谱学的特点及应用
　　1.4.1 正电子谱学的特点
　　1.4.2 正电子谱学的主要应用领域
　　参考文献
　　第2章 正电子谱学实验方法
　　2.1 正电子源
　　2.2 愎庾犹讲饧际?
　　2.2.1 闵湎哂胛镏氏
　　2.2.2 愎庾犹讲馄
　　2.3 正电子寿命测量
　　2.3.1 快一慢符合寿命谱仪
　　2.3.2 快一决符合正电子寿命谱仪
　　2.3.3 正电子寿命谱仪能窗调节方法
　　2.3.4 正电子寿命谱的分析
　　2.4 多普勒展宽测量
　　2.4.1 多普勒展宽测量原理及装置
　　2.4.2 多普勒展宽谱的分析
　　2.5 双探头符合多普勒展宽技术
　　2.6 角关联测量技术
　　参考文献
　　第3章 正电子与固体的相互作用
　　3.1 正电子的热化和扩散
　　3.1.1 正电子的背散射
　　3.1.2 沟道效应
　　3.1.3 正电子的热化
　　3.1.4 正电子的扩散
　　3.2 正电子的捕获与湮没过程
　　3.2.1 正电子的捕获
　　3.2.2 正电子与表面的相互作用
　　3.2.3 正电子的湮没过程
　　3.2.4 电子偶素的形成
　　3.3 正电子的捕获模型
　　3.3.1 捕获模型
　　3.3.2 正电子捕获系数
　　参考文献
　　第4章 慢正电子束及其在表面和界面研究中的应用
　　4.1 引言
　　4.2 正电子束发展简史
　　4.3 正电子束的产生和输运
　　4.3.1 正电子源
　　4.3.2 正电子慢化
　　4.3.3 正电子束流的输运
　　4.3.4 慢正电子的加速
　　4.3.5 脉冲束和正电子寿命测量
　　4.3.6 靶室及探测系统
　　4.4 缺陷深度分布
　　4.4.1 慢正电子与固体表面相互作用
　　4.4.2 正电子注入深度分布
　　4.4.3 缺陷深度分布
　　4.5 慢正电子束在材料表面、界面和薄膜研究中的应用
　　4.5.1 半导体薄膜材料中的缺陷
　　4.5.2 异质结构界面特性
　　4.5.3 离子注入产生的缺陷
　　4.5.4 低介电常数材料孔洞分布
　　4.5.5 聚合物表面结构
　　4.6 慢正电子束技术的新进展
　　4.6.1 低能正电子衍射
　　4.6.2 正电子诱发俄歇电子能谱
　　4.6.3 正电子微束
　　4.6.4 自旋极化正电子束
　　参考文献
　　第5章 正电子与电子偶素化学
　　5.1 液滴模型
　　5.2 电子偶素形成机制
　　5.3 液体中的正电子和电子偶素
　　5.3.1 气泡模型
　　5.3.2 自由体积模型
　　5.3.3 气泡模型与角关联实验
　　5.3.4 电子偶素的化学淬灭
　　5.4 气体中的正电子和电子偶素
　　5.4.1 气体介质中正电子的热化
　　5.4.2 纯气体介质中正电子的湮没率
　　5.4.3 气体介质中o－Ps湮没率
　　5.5 电子偶素的磁淬灭
　　5.6 应用
　　5.6.1 甲烷中的电子偶素湮没特性
　　5.6.2 电子偶素微探针在化学中的应用
　　参考文献
　　第6章 正电子谱学在金属和合金研究中的应用
　　6.1 引言
　　6.2 金属间化合物空位形成焓的测定
　　6.3 淬火、辐照及形变
　　6.4 氢脆及氢化物的研究
　　6.4.1 氢脆
　　6.4.2 氢化物
　　6.5 金属和合金的相变
　　6.5.1 时效硬化
　　6.5.2 晶体结构转变
　　6.5.3 马氏体相变
　　6.6 腐蚀和疲劳缺陷
　　6.6.1 腐蚀
　　6.6.2 疲劳
　　6.7 非晶、准晶及纳米晶的研究
　　6.7.1 非晶
　　6.7.2 准晶
　　6.7.3 微晶和纳米晶
　　6.8 正电子微束的应用
　　6.9 无损检测的研究
　　6.10 结语
　　参考文献
　　第7章 聚合物中的正电子湮没
　　7.1 聚合物的结构与自由体积
　　7.2 聚合物中的正电子湮没、寿命谱的离散和连续谱分析
　　……
　　第8章 正电子谱学半导体缺陷研究中的应用
　　第9章 纳米材料微结构的正电子研究
　　第10章 正电子在医学中的应用
　　第11章 正电子谱学的新进展
　　参考文献
　　附录A 正电子学科历届国际、国内会议的举办时间、地点及单位
　　后记

　　王少阶，男，1942年生，湖北武汉人。1966年毕业于清华大学，1986-1987年任美国密苏里大学客座教授，1988年任武汉大学教授，1990年批准为博士生导师，1988-1991年任武汉大学物理系主任，1993-1994年任瑞士PaulScllerrerInstitute研究所客座科学家，2001年任武汉大学核固体物理实验室主任。此外，1997-2003年任湖北省副省长，2003-2008年任湖北省政协副主席，2003年至今任全国政协常委。主要学术兼职有：199－2000年任湖北省核学会理事长，1992年至今任中国核学会理事、常务理事，199l－2000年任中国核物理学会常务理事、副理事长，1997-2006年任国际正电子湮没顾问委员会委员，2002年至今任国际正电子与电子偶素化学委员会委员。
　　长期从事正电子物理与材料科学研究，致力于用正电子湮没谱学研究凝聚态物质的微结构，并取得一批具有国际先进水平的成果。在国内外学术刊物发表科研论文220余篇，多次在国际学术会议上作邀请报告。主持的项目“用正电子湮没研究凝聚态物质的缺陷与相变”及“用正电子谱学表征高聚物微结构”分别于1989年、1997年获国家教委科技进步二等奖；“用正电子研究材料中纳米尺度微结构”于2003年获湖北省自然科学一等奖。

　　《应用正电子谱学》系统介绍了正电子的产生及湮没特性、电子偶素的形成与湮没机制、正电子与固体和表面相互作用等基本理论，常用正电子湮没实验方法与低能正电子束实验技术；并结合作者的科研成果，以丰富的实验数据，详尽介绍了正电子谱学在凝聚态物理、化学、原子分子物理以及若干重要材料如金属和合金、聚合物、半导体、纳米材料微结构研究中的应用；最后，对正电子发射断层显像仪(PET)在医学诊断中的独特应用以及近年正电子谱学的新进展进行了评述。
　　正电子是电子的反粒子，是人类发现的第一个反物质。正电子遇电子发生湮没，也可与一个电子结合形成电子偶素然后湮没。正电子或电子偶素湮没后均发射特征γ射线，利用现代核谱学方法可精确测量其湮没参数，从而得到有关物质微观结构的有用信息。经过数十年的发展，已形成一门独具特色的新兴交叉学科——应用正电子谱学，它以正电子为探针，以现代核谱学实验方法为工具，重点研究低能正电子和物质相互作用。