半导体器件

　　第1章 半导体器件的发展
　　1.1 电子器件发展历程中的“潮流与波浪”
　　1.2 从体单晶时代向多层化薄膜器件时代的发展
　　练习题
　　第2章 半导体的电学性质
　　2.1 半导体的导电率
　　2.2 晶体中电子的有效质量
　　2.3 电子状态密度
　　2.4 载流子密度与温度及禁带宽度的依赖关系
　　2.4.1 载流子密度与温度的关系
　　2.4.2 载流子密度随禁带宽度的变化
　　2.4.3 载流子密度与费米能级位置的关系
　　练习题
　　第3章 半导体界面的电子现象
　　3.1 半导体的清洁表面与实际表面及其电子状态
　　3.2 pn结
　　3.3 异质结
　　3.4 金属一半导体界面
　　3.5 半导体一电介质界面
　　3.6 晶粒间界
　　练习题
　　第4章 各种半导体二极管
　　4.1 pn结二极管
　　4.1.1 pn结二极管的直流电流一电压特性
　　4.1.2 pn结二极管的交流特性
　　4.1.3 pn结二极管的直流电压一电容特性
　　4.1.4 电压一电流特性理论的修正
　　4.2 肖特基二极管的直流电流一电压特性
　　4.3 异质结二极管
　　4.4 江崎二极管与反向二极管的直流电流一电压特性
　　4.4.1 电子穿过薄势垒的几率
　　4.4.2 简并半导体pn结的电压一电流特性
　　4.4.3 反向二极管的直流电流一电压特性
　　练习题
　　第5章 双极型功能器件
　　5.1 晶体管的作用
　　5.1.1 双极晶体管的结构
　　5.1.2 接地电路与电流的流动
　　5.1.3 输入一输出特性
　　5.2 双极晶体管的工作原理
　　5.2.1 晶体管的放大功能
　　5.2.2 晶体管内部的电流输运机理
　　5.3 晶体管的性能参数（a，B，Y。Fa）
　　5.3.1 发射极注入效率70
　　5.3.2 基区输运效率80
　　5.3.3 收集效率
　　5.3.4 高频特性
　　5.4 漂移晶体管
　　5.4.1 载流子扩散的渡越时间
　　5.4.2 漂移晶体管的结构和原理
　　5.5 晶闸管与SCR，GTO
　　5.5.1 晶闸管的结构与工作原理
　　5.5.2 SCR（siliconcontrolledredtifier）
　　5.5.3 GTO（gateturnoff）
　　练习题
　　第6章 MoS型控制器件
　　6.1 场效应晶体管的工作原理
　　6.1.1 场效应晶体管的分类与结构
　　6.1.2 MOS器件的结构
　　6.2 MOS晶体管的电流一电压特性
　　6.2.1 直流输出特性
　　6.2.2 小信号交流特性
　　6.3 MOS晶体管的种类与结构
　　6.4 MOS存储器
　　6.4.1 MOS存储器的分类
　　6.4.2 DRAM与SRAM
　　6.5 CCD与BBD及其电荷转移功能
　　6.5.1 CCD
　　6.5.2 CCD的原理
　　6.5.3 CCD的用途
　　练习题
　　第7章 异质结器件
　　7.1 GaAs系异质结器件的重要性
　　7.1.1 GaAs系异质结器件是重要的发展趋势
　　7.1.2 GaAs的特征与物理基础
　　7.2 异质结与二维电子气物理
　　7.2.1 载流子关闭引起的二维效应
　　7.2.2 能带结构
　　7.3 HEMT的工作原理和电学特性
　　7.3.1 HEMT的基本结构与高电子迁移率特性
　　7.3.2 HEMT的工作原理
　　7.3.3 电学特性
　　7.4 微波HEMT
　　7.4.1 低噪声HEMT
　　7.4.2 高输出HEMT
　　7.5 超高速数字HEMT
　　7.5.1 基本电路形式和开关特性
　　7.5.2 计数器与可控制性
　　练习题
　　练习题简答
　　参考文献

　　    《半导体器件》是“OHM大学理工系列”之一。书中与IT基本技术结合，重点介绍了各种半导体器件的基础知识。主要内容有半导体的电学性质、半导体界面的电子现象，各种半导体二极管、双极型功能器件、MOS型控制器件及异质结器件等。
　　    《半导体器件》可供相关专业的大学生、高等职业学校师生，以及相关领域科技人员参考。