低维半导体复合结构的光学性质：低维半导体物理和超快光谱技术研究参考必备手册

　　第一章  绪论
　　参考文献
　　第二章  低维半导体的基本性质及发展概况
　　2.1  低维半导体的概况
　　2.2  低维半导体的电子态
　　2.2.1  量子阱的电子态
　　2.2.2  量子线和量子点的电子态
　　2.3  低维半导体材料的制备和表征
　　2.3.1  低维半导体材料的制备
　　2.3.2  半导体低维材料的表征方法
　　2.4  Ⅱ-Ⅵ族低维半导体材料的应用及研究进展
　　2.4.1  蓝绿色发光器件及激光器
　　2.4.2  激子隧穿器件
　　2.4.3  非线性光学双稳器件
　　参考文献
　　第三章  低维结构中的光学测量方法
　　3.1  稳态光谱测量方法
　　3.1.1  吸收光谱和激发光谱
　　3.1.2  发射光谱
　　3.1.3  喇曼散射谱
　　3.2  超快光谱技术
　　3.2.1  超短脉冲激光技术
　　3.2.2  白光超短脉冲产生
　　3.2.3  超快光谱测量技术
　　3.2.4  超快光谱在低维半导体材料中的应用
　　参考文献
　　第四章  ZnTe基和znSe基低维复合结构中的载流子动力学过程
　　4.1  激子隧穿的基本性质
　　4.1.1  非对称量子阱的电子和空穴隧穿
　　4.1.2  非对称量子阱的激子隧穿
　　4.2  CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe复合量子阱的载流子行为
　　4.2.1  znSeTe/znTe多量子阱的能级结构和激子动力学过程
　　4.2.2  cdznTe/znTe/seznTe复合量子阱的载流子行为
　　4.3  CdZnSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子点复合结构的激子隧穿
　　小结
　　参考文献
　　第五章  ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子点复合结构中的激子复合

　　    金华，女，1978年11月3日出生，籍贯吉林省长春市。1996—2000年在吉林大学电子工程系电子材料与器件专业攻读学士学位。2000—2005年在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理专业攻读博士学位，指导教师为申德振研究员。读博期间参与的课题和取得的成果如下：    作为主要成员参加了“十一·五”国家科技支撑计划，公安部应用创新计划，中科院知识创新项目。同时还参加了863计划项目，国家自然科学基金和中科院百人计划的研究工作。

　　    《低维半导体复合结构的光学性质：低维半导体物理和超快光谱技术研究参考必备手册》介绍了Ⅱ-Ⅵ族低维半导体复合结构中的载流子动力学过程及其光学性质，并对Ⅱ-Ⅵ族低维量子体系中材料的表征、稳态和瞬态光谱测量技术、物理特性和应用方面进行较为系统地介绍。主要内容包括低维半导体的基本性质，低维结构中的光学测量方法，znTe基复合量子阱中的载流子行为和znse基量子阱／量子点复合结构中的激子行为。
　　    《低维半导体复合结构的光学性质：低维半导体物理和超快光谱技术研究参考必备手册》可供从事低维半导体物理和超快光谱技术研究的科技人员和相关领域的师生参考。