集成电路工艺中的化学品

　　第一章序言1
　　11集成电路及其产业的发展1
　　12集成电路制造的核心步骤及关键工艺技术3
　　13集成电路工艺需要电子化学品5
　　第二章薄膜制备技术及化学品8
　　21热氧化生长技术8
　　211热氧化生长技术概述8
　　212热氧化方式及化学反应9
　　213杂质对热氧化速率的影响10
　　214化学方法改进栅氧化层11
　　215选择性氧化12
　　22热扩散掺杂技术12
　　221热扩散掺杂技术概述12
　　222热扩散的种类及主要反应13
　　223热扩散工艺技术的发展16
　　23离子注入掺杂技术16
　　231离子注入概述17
　　232注入损伤和热退火18
　　24物理气相淀积技术20
　　241真空蒸发法20
　　242溅射法23
　　25化学气相淀积技术25
　　251化学气相淀积的基本过程及主要反应25
　　252化学气相淀积系统及分类27
　　26外延技术31
　　261气相外延的基本过程及设备31
　　262硅源气相外延的源和主要反应33
　　263外延层中的杂质分布33
　　264低压外延34
　　265选择外延34
　　266硅烷热分解法外延35
　　267分子束外延35
　　27多晶硅薄膜淀积36
　　28二氧化硅薄膜淀积37
　　281低温CVD二氧化硅38
　　282中温CVD二氧化硅39
　　283CVD掺杂二氧化硅40
　　29氮化硅薄膜淀积41
　　210金属钨的薄膜淀积42
　　211金属铝的薄膜淀积44
　　212势垒层的薄膜淀积45
　　2121介质势垒层和导电势垒层45
　　2122TiN的薄膜淀积46
　　213金属硅化物的薄膜淀积47
　　214金属铜的薄膜淀积48
　　2141以铜为互连材料的工艺概述48
　　2142金属铜的薄膜淀积48
　　215低介电常数介质材料和薄膜淀积技术52
　　2151低介电常数介质材料52
　　2152低介电常数介质材料的薄膜淀积53
　　2153商业用的低介电常数介质材料54
　　附录化学品及气体理化性质58
　　第三章晶片清洗技术及化学品75
　　31集成电路制造过程中的清洗工艺75
　　32湿法清洗技术及主要反应76
　　321SC1过程76
　　322SC2过程77
　　323Piranha清洗过程77
　　324DHF(HF稀溶液)的二氧化硅蚀刻77
　　325BHF(HF缓冲溶液)的二氧化硅蚀刻78
　　326臭氧水清洗过程78
　　327氢氟酸/硝酸清洗过程79
　　附录化学品及气体理化性质８０
　　第四章光刻技术及化学品85
　　41光刻技术概述85
　　42光刻的工艺流程86
　　421涂胶86
　　422前烘87
　　423曝光87
　　424显影87
　　425坚膜88
　　426刻蚀88
　　427去胶88
　　43光刻胶的基本属性89
　　44光刻胶的曝光光源92
　　441紫外(UV)曝光光源92
　　442深紫外（DUV）曝光光源93
　　443X射线曝光光源94
　　444电子束曝光94
　　445光刻胶的分类95
　　45紫外(UV)光刻胶——DQN系列95
　　451DQN系列光刻胶的基本组成95
　　452DQN系列光刻胶的光化学机理96
　　46深紫外(DUV)光刻胶——化学增强(CA)系列97
　　47电子束光刻胶100
　　48X射线光刻胶101
　　49工业用的光刻胶材料102
　　410抗反射涂层材料106
　　411光刻胶边缘废料去除剂107
　　412显影剂108
　　413光刻胶去胶剂112
　　414光刻过程中使用的其他材料114
　　4141对比增强层材料114
　　4142粘附助剂116
　　4143聚酰亚胺材料116
　　4144栅涂层材料116
　　附录化学品及气体理化性质117
　　第五章刻蚀技术及化学品122
　　51湿法刻蚀技术122
　　511湿法刻蚀技术概述122
　　512Si的湿法刻蚀123
　　513SiO2的湿法刻蚀123
　　514Si3N4的湿法刻蚀124
　　515Cu的湿法刻蚀124
　　516Al的湿法刻蚀125
　　517Mo的湿法刻蚀125
　　518Cr的湿法刻蚀126
　　519W的湿法刻蚀126
　　52干法刻蚀技术126
　　521干法刻蚀技术概述126
　　522二氧化硅和硅的干法刻蚀128
　　523氮化硅的干法刻蚀129
　　524多晶硅与金属多晶硅化物的干法刻蚀130
　　525金属铝及铝合金的干法刻蚀130
　　526金属铜的干法刻蚀131
　　527金属钨的干法刻蚀131
　　528其他材料的干法刻蚀132
　　附录化学品及气体理化性质133
　　第六章化学机械抛光技术及化学品144
　　61平坦化144
　　62化学机械抛光技术概述145
　　621CMP设备及工艺145
　　622CMP工艺的主要参数146
　　63二氧化硅的CMP技术及磨蚀剂147
　　64金属钨的CMP技术及磨蚀剂148
　　65金属铜的CMP技术及磨蚀剂149
　　66磨蚀剂的技术参数151
　　67集成电路工艺中使用的磨蚀剂153
　　附录化学品及气体理化性质155
　　第七章载气及其他化学品156
　　附录化学品及气体理化性质157