微电子器件基础

　　第1章 PN结二极管
　　第1节 PN结杂质浓度分布
　　1 突变结
　　2 缓变结
　　第2节 平衡PN结
　　1 空间电荷区
　　2 能带图
　　3 接触电势差
　　4 载流子浓度
　　第3节 PN结空间电荷区电场和电位分布
　　1 突变结
　　2 线性缓变结
　　3 耗尽层近似讨论
　　第4节 PN结势垒电容
　　1 突变结势垒电容
　　2 线性缓变结势垒电容
　　第5节 PN结直流特性
　　1 PN结非平衡载流子注入
　　2 PN结反向抽取
　　3 准费米能级和载流子浓度
　　4 直流电流电压方程
　　5 影响PN结直流特性的其他因素
　　6 温度对PN结电流电压的影响
　　第6节 PN结小信号交流特性与开关特性
　　1 小信号交流特性
　　2 开关特性
　　第7节 PN结击穿特性
　　1 基本击穿机构
　　2 雪崩击穿电压
　　3 影响雪崩击穿电压的因素
　　习题一
　　第2章 特殊二极管
　　第1节 变容二极管
　　1 PN结电容和变容二极管
　　2 电容电压特性
　　3 变容二极管基本特性
　　4 特殊变容二极管
　　第2节 隧道二极管
　　1 隧道过程的定性分析
　　2 隧道几率和隧道电流
　　3 等效电路及特性
　　4 反向二极管
　　第3节 雪崩二极管
　　1 崩越二极管工作原理
　　2 崩越二极管的特性
　　3 几种崩越二极管
　　4 俘越二极管
　　5 势越二极管
　　习题二
　　第3章 晶体管的直流特性
　　第1节 晶体管基本结构与放大机理
　　1 晶体管结构与杂质分布
　　2 晶体管放大机理
　　第2节 晶体管直流电流电压方程
　　1 均匀基区晶体管
　　2 缓变基区晶体管
　　第3节 晶体管电流放大系数与特性曲线
　　1 电流放大系数
　　2 特性曲线
　　3 电流放大系数理论分析
　　4 影响电流放大系数的其他因素
　　第4节 晶体管反向电流与击穿电压
　　1 晶体管反向电流
　　2 晶体管击穿电压
　　第5节 晶体管基极电阻
　　1 梳状晶体管基极电阻
　　2 圆形晶体管基极电阻
　　习题三
　　第4章 晶体管频率特性与开关特性
　　第5章 晶体管的功率特性
　　第6章 晶闸管
　　第7章 MOS场效应晶体管
　　第8章 光电器件与电荷耦合器件
　　附录
　　参考文献

　　曾云，男，1956年8月出生，湖南芷江人，教授，教育部电子科学与技术教学指导委员会委员，湖南大学微电子研究所所长。主要从事新型和高，性能电子器件和电子器件与集成电路应用方面的教学与研究工作，承担或完成纵、横向科研课题20余项，在国内外学术刊物和国际学术会议。

　　《微电子器件基础》是作者在十余年讲授《微电子器件基础》课程的基础上总结、修订、补充而编著的，是作者多年授课经验和从事相关科研工作成果的总结。书中重点介绍PN结二极管、结型晶体管和MOS场效应晶体管这三种基本微电子器件的工作原理和基本特性，并阐述器件特性与结构、材料与工艺参数之间的依赖关系。书中还简要介绍了一些代表性的其他器件如特殊二极管、晶闸管、光电器件和电荷耦合器件等。《微电子器件基础》可作为大学本科相关课程的教材，也可供微电子领域的科技及相关专业人员参考。