序言
前言
主要符号表
第一章 半导体物理基础
1.1 半导体中的电子状态
1.2 载流子的统计分布
1.3 简并半导体
1.4 载流子的散射
1.5 载流子的输运
1.6 非平衡载流子
第二章 PN结
2.1 热平衡PN结
2.2 加偏压的PN结
2.3 理想PN结的直流电流-电压特性
2.4 空间电荷区的复合电流和产生电流
2.5 隧道电流
2.6 I-V特性的温度依赖关系
2.7 耗尽层电容求杂质分布和变容二极管
2.8 小信号交流分析
2.9 电荷贮存和反向瞬变
2.1 0 PN结击穿
第三章 双极结型晶体管
3.1 双极结型晶体管的结构
3.2 基本工作原理
3.3 理想双极结型晶体管中的电流传输
3.4 埃伯斯-莫尔方程
3.5 缓变基区晶体管
3.6 基区扩展电阻和电流集聚
3.7 基区宽度调变效应
3.8 晶体管的频率响应
3.9 混接π型等效电路
3.1 0 晶体管的开关特性
3.1 1 击穿电压
3.1 2 P-N-P-N结构
3.1 3 异质结双极晶体管
3.1 4 几类常见的HBT
第四章 金属-半导体结
4.1 肖特基势垒
4.2 界面态对势垒高度的影响
4.3 镜像力对势垒高度的影响
4.4 肖特基势垒二极管的电流-电压特性
4.5 肖特基势垒二极管的结构
4.6 金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管
4.7 肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较
4.8 肖特基势垒二极管的应用
4.9 欧姆接触
第五章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管
5.1 JFET的基本结构和工作过程
5.2 理想JFET的I-V特性
5.3 静态特性
5.4 小信号参数和等效电路
5.5 JFET的截止频率
5.6 夹断后的JFET性能
5.7 金属-半导体场效应晶体管
5.8 JFET和MESFET的类型
5.9 异质结MESFET和I-IEMT
第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区
6.2 理想MOS电容器
6.3 沟道电导与阈值电压
6.4 实际MOS的电容-电压特性
6.5 MOS场效应晶体管
6.6 等效电路和频率响应
6.7 亚阈值区
6.8 MOS场效应晶体管的类型
6.9 影响阈值电压的其余因素
6.1 0 器件尺寸比例
第七章 太阳电池和光电二极管
7.1 半导体中的光吸收
7.2 PN结的光生伏打效应
7.3 太阳电池的I-V特性
7.4 太阳电池的效率
7.5 光产生电流和收集效率
7.6 提高太阳电池效率的考虑
7.7 肖特基势垒和MIS太阳电池
7.8 非晶硅（a-Si）太阳电池
7.9 光电二极管
7.1 0 光电二极管的特性参数
第八章 发光二极管与半导体激光器
8.1 辐射复合与非辐射复合
8.2 LED的基本结构和工作过程
8.3 LED的特性参数
8.4 可见光LED
8.5 红外LED
8.6 异质结LED
8.7 半导体激光器及其基本结构
8.8 半导体受激发射的条件
8.9 结型半导体激光器的特性
8.1 0 异质结激光器
第九章 集成器件
9.1 双极集成器件的隔离工艺
9.2 集成电路中的无源元件
9.3 双极型反相器
9.4 集成注入逻辑
9.5 NMOS逻辑门电路
9.6 NMOS存储器件
9.7 CMOS反相器
9.8 砷化镓集成电路
第十章 电荷转移器件
10.1 电荷转移
10.2 深耗尽状态和表面势阱
10.3 MOS电容的瞬态特性
10.4 信息电荷的输运转换效率
10.5 电极排列和CCD制造工艺
10.6 体内（埋入）沟道CCD
10.7 电荷的注入、检测和再生
10.8 集成斗链器件
10.9 电荷耦合图像器件
参考文献
附录A 物理常数
附录B 重要半导体的性质
附录C硅、锗和砷化镓的性质
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