纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究

　　第1章 绪论
　　1.1 引言
　　1.2 多功能传感器研究现状
　　1.3 MOSFET压力传感器研究现状
　　1.4 MOSFET磁传感器研究现状
　　1.5 纳米硅／单晶硅异质结研究现状
　　1.6 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器研究目的和意义
　　1.7 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器研究的主要内容
　　第2章 纳米硅薄膜制备及表征研究
　　2.1 纳米硅薄膜
　　2.2 PECVD制备多晶硅薄膜
　　2.3 LPCVD制备纳米硅薄膜
　　2.4 小结
　　第3章 MOSFETs压／磁多功能传感器理论分析
　　3.1 MOSFETs压／磁多功能传感器理论模型
　　3.2 MOSFETs压／磁多功能传感器理论分析
　　3.3 小结
　　第4章 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式
　　4.1 半导体材料压阻效应基本理论
　　4.2 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器压敏结构设计
　　4.3 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器压敏结构电源激励方式
　　4.4 小结
　　第5章 纳米石圭／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器磁敏结构设计和工作原理
　　5.1 霍尔效应
　　5.2 纳米硅／单晶硅异质结p—MOSFET Hall器件基本结构及工作原理
　　5.3 纳米硅／单晶硅异质结P—MOSFET Hall器件串联输出结构及工作原理
　　5.4 小结
　　第6章 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器基本结构与制作工艺
　　6.1 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器基本结构
　　6.2 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器制作工艺
　　6.3 小结
　　第7章 实验结果与讨论
　　7.1 纳米多晶硅薄膜压阻特性
　　7.2 纳米硅／单晶硅异质结p-MOSFET特性
　　7.3 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器压敏特性
　　7.4 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器磁敏特性
　　7.5 纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器压／磁特性
　　7.6 小结
　　第8章 结论
　　参考文献

　　    赵晓锋，男，黑龙江省兰西县人，工学博士，黑龙江大学电子工程学院副教授，硕士研究生导师。参加国家自然科学基金项目1项，承担黑龙江省教育厅项目1项，承担并完成黑龙江省电子工程重点实验室项目、黑龙江大学青年科学基金项目、黑龙江大学教改项目各1项。在SCl、El等学术期刊上发表学术论文14篇，参加主编教材1部，申请发明专利1项。

　　    《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》在温殿忠教授提出的JFET压／磁电效应基本理论基础上，给出MOSFETs压／磁多功能传感器在外加压力P≠O、外加磁场B=O；外加压力P≠O、外加磁场B=O；外加压力P≠O、外加磁场8≠O；外加压力P≠O、外加磁场B≠O四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅／单晶硅异质结为源极（S）和漏极（D）的MOSFETs压／磁多功能传感器。《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》设计、制作的纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器能够完成压力和磁场的检测，具有良好的压敏特性和磁敏特性，可实现压／磁检测的集成化和一体化，对传感器的小型化、多功能化、集成化和一体化发展具有重要意义。