国外电子与通信教材系列·硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践与模型（英文版）

　　第1章 引言及历史展望
　　第2章 现代CMOS工艺技术
　　第3章 晶体生长、晶圆片制造及硅晶圆片的基本特性
　　第4章 半导体生产——洁净室、晶圆片清洗与吸杂
　　第5章 光刻
　　第6章 热氧化主硅/二氧化硅界面
　　第7章 杂质扩散
　　第8章 离子注入
　　第9章 薄膜淀积
　　第10章 刻蚀
　　第11章 后道工艺技术
　　附录
　　索引

　　James D.Plummer：于美国斯坦福大学获得电气工程博士学位。目前是斯坦福大学电气工程系教授。Plummer博士已撰写或与人合作撰写了300多篇技术论文，并于1991年获得了电化学协会颁发的“固态科学与技术奖”。1996年，他被选入美国国家工程院。目前致力于硅设备与技术方面的研究。

　　《硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践与模型》是美国斯坦福大学电气工程系“硅超大规模集成电路制造工艺”课程所使用的教材，该课程是为电气工程系微电子学专业的四年级本科生及一年级研究生开设的一门专业课。《硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践与模型》最大的特点是，不仅详细介绍了与硅超大规模集成电路芯片生产制造相关的实际工艺技术，而且还着得讲解了这些工艺技术背后的科学工艺过程的物理图像。同时全书还对每一步单项工艺技术所要用到的测量方法后面都附有相关内容的参考文献，同时还附有大量习题。
　　对于我国高等院校微电子学专业的教师及学生，《硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践与模型》是一本不可多得的优秀教材和教学参考书，并可供相关领域的工程技术人员学习参考。