0 导论
0.1 引言
0.2 历史沿革和重大事件
0.3 锗用作新型超大规模集成电路（ULSI）衬底：机遇与挑战
0.4 本书梗概
参考文献
1 锗材料
1.1 引言
1.2 体锗片的制备
1.2.1 锗原材料：供应及生产流程
1.2.2 锗晶体生长
1.2.3 锗片制造
1.3 GOI衬底
1.3.1 背面研磨SOI
1.3.2 以薄层转移技术制备GOI衬底
1.4 结论
参考文献
2 锗中长入缺陷
2.1 引言
2.2 锗中本征点缺陷
2.2.1 本征点缺陷特性的模拟
2.2.2 有关空位特性的实验数据
2.2.3 Voronkov模型对锗的应用
2.3 非本征点缺陷
2.3.1 掺杂剂
2.3.2 中性点缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氢
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 硅
2.4 直拉生长过程中位错的形成
2.4.1 热模拟
2.4.2 机械应力的发生
2.4.3 锗的力学性质
2.4.4 拉晶过程中的位错成核和增殖
2.4.5 锗中位错的电学影响
2.5 点缺陷团
2.5.1 空位团的实验观察
2.5.2 空位团形成的模型和模拟
2.6 结论
参考文献
3 锗中掺杂剂的扩散和溶解度
3.1 引言
3.2 半导体中的扩散
3.2.1 扩散机制
3.2.2 自扩散
3.3 锗中的本征点缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 辐照
3.4 在锗和硅中的自扩散和Ⅳ族原子扩散
3.4.1 放射性示踪实验
3.4.2 锗中同位素作用和Ⅳ族元素的扩散
3.4.3 掺杂和压力的影响
3.4.4 锗在硅中的扩散
3.5 锗中杂质的溶解度
3.6 锗中Ⅲ、Ⅴ族掺杂剂的扩散
3.6.1 Ⅲ族受主的扩散
3.6.2 V族施主的扩散
3.6.3 锗中掺杂电场对掺杂扩散的作用
3.6.4 小结
3.7 结论
参考文献
4 锗中氧
4.1 引言
4.2 间隙氧
4.2.1 氧浓度的测量
4.2.2 扩散率和溶解度
4.2.3 振动谱结构和缺陷模型
4.3 TDs和氧二聚物
4.3.1 TDs的电子态
4.3.2 TDs的振动谱
4.3.3 氧二聚物的振动谱
4.4 氧沉淀的红外吸收
4.5 空位.氧缺陷
4.6 结论
参考文献
5 锗中金属
5.1 引言
5.2 锗中的铜杂质
5.2.1 分配系数Kd
5.2.2 锗中铜原子结构
5.2.3 游离铜的扩散机理
5.2.4 掺杂浓度对铜扩散和溶解度的影响
5.2.5 锗中铜扩散Kick-0ut机理
5.2.6 锗中铜的沉淀
5.2.7 替位铜的能级和俘获截面
5.2.8 间隙铜原子与Cu-Cui原子对的能级
5.2.9 铜对锗中载流子寿命的影响
5.3 锗中的银、金和铂
5.3.1 分凝系数、溶解度和扩散系数
5.3.2 能级和俘获截面
5.3.3 对载流子寿命的影响
5.4 锗中的镍
5.4.1 镍在锗中的溶解度和扩散率
5.4.2 镍在锗中的能级和俘获截面
5.4.3 对载流子寿命的影响
5.5 锗中的过渡金属
5.5.1 铁
5.5.2 钴
5.5.3 锰
5.5.4 其他金属
5.6 锗中金属性能的化学趋势
5.6.1 电学性能
5.6.2 锗中金属的光学性质
5.6.3 影响锗中载流子寿命的因素
5.7 结论
参考文献
6 锗中缺陷从头计算的建模
6.1 引言
6.2 量子力学方法
6.3 Kohn-Sham能级和占据能级
6.4 形成能、振动模和能级
6.5 锗中的缺陷模拟
6.6 锗中的缺陷
6.6.1 锗中的空位和双空位
6.6.2 自间隙
6.6.3 氮缺陷
6.6.4 锗中的碳
6.6.5 锗中的氧
6.6.6 热施主
6.6.7 锗中的氢
6.7 缺陷的电学能级
……
7 锗中辐射缺陷及行为
8 锗器件的电学性能
9 器 件模拟
10 纳米尺度锗MOS栅介质和MOS结
11 先进的锗MOS器件
12 锗的其他应用
13 发展趋势与展望
附录
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