第1章 温度——可靠性的影响因素
1.1 背景
1.2 基于激活能的模型
1.3 可靠性预计方法
1.4 从事设计、热控制以及可靠性的工程师们应如何合作
1.5 小结
第2章 微电子器件失效机理与温度的关系
2.1 芯片金属化层失效机理与温度的关系
2.1.1 金属化层和键合点的腐蚀
2.1.2 电迁移
2.1.3 小丘的形成
2.1.4 金属化迁移
2.1.5 引线孔穿刺
2.1.6 导线金属化层的约束空洞现象
2.2 氢、氦气氛环境对金属化层与温度关系的影响
2.3 器件氧化层失效机理与温度的关系
2.3.1 慢俘获（氧化层中的电荷俘获和释放）
2.3.2 栅氧化层击穿
2.3.3 电过应力
2.4 器件失效机理与温度的关系
2.4.1 离子玷污
2.4.2 二次击穿
2.4.3 表面电荷扩展
2.5 器件氧化层界面失效机理与温度的关系
2.5.1 热电子
2.5.2 幸运电子模型
第3章 微电子封装失效机理与温度的关系
3.1 芯片和芯片一基板粘接失效机理与温度的关系
3.1.1 芯片破裂
3.1.2 芯片热击穿
3.1.3 芯片和基板的粘接疲劳
3.2 一级互连失效机理与温度的关系
3.2.1 引线键合互连
3.2.2 栽带自动焊
3.2.3 倒装焊芯片焊点
3.3 封装外壳失效机理与温度的关系
3.3.1 塑料封装的裂缝
3.3.2 聚合物的返原或解聚
3.3.3 晶须和枝状晶体生长
3.3.4 标准尺寸外壳疲劳失效
3.4 气密封装失效机理与温度的关系
3.5 封装体引线和引脚密封失效机理与温度的关系
3.5.1 误操作和缺陷引起的引脚密封失效
3.5.2 再成型缺陷导致的引脚局部腐蚀
3.5.3 引脚密封界面处引脚的应力腐蚀
3.5.4 引脚焊点疲劳
第4章 双极型器件电参数与温度的关系
4.1 双极型晶体管参数与温度的关系
4.1.1 本征载流子浓度
4.1.2 热电压和迁移率
4.2 电流增益
4.3 双极型晶体管反相器的电压转换特性
4.4 集电极一发射极饱和压降
第5章 MOS场效应晶体管电参数与温度的关系
5.1 MOS场效应晶体管电参数与温度的关系
5.1.1 阙值电压
5.1.2 迁移率
5.1.3 漏极电流
5.1.4 延迟时间
5.1.5 泄漏电流
5.1.6 芯片的可用性
5.1.7 直流转换特性
第6章 集成电路老化失效物理方法
6.1 老化的基本原理
6.2 现有老化方法存在的问题
6.3 老化的失效物理方法
6.3.1 对稳态温度影响的认识
6.3.2 建立老化剖面
第7章 微电子器件温度冗余设计和应用准则
7.1 现有器件降额方法存在的问题
7.1.1 其它热参数的影响
7.1.2 热应力和非热应力的相互作用
7.1.3 低温器件降额
7.1.4 器件类型的变化
7.2 抗热／耐热设计的另一种方法
7.3 芯片金属化失效机理的应力限制
7.3.1 芯片金属化腐蚀
7.3.2 电迁移
7.3.3 小丘的形成
7.3.4 金属化迁移
7.3.5 金属化层的约束气蚀
7.4 器件氧化层失效机理的应力极限
7.4.1 慢俘获
7.4.2 栅氧化层的击穿
7.5 芯片金属化失效机理的应力极限
7.5.1 离子玷污
7.5.2 表面电荷扩展
7.6 器件氧化层界面失效机理的应力极限
第8章 电子器件封装的温度冗余设计和使用指南
8.1 芯片和芯片／衬底粘接失效机理的应力极限
8.1.1 芯片破裂
8.1.2 芯片热击穿
8.1.3 芯片与衬底的粘接疲劳
8.2 一级互连层失效机理的应力极限
8.2.1 引线键合互连层
8.2.2 栽带自动焊
8.2.3 芯片倒装焊
8.3 封装外壳失效机理的应力极限
8.3.1 塑料封装外壳破裂
8.3.2 聚合物焊料的逆变化或解聚
8.3.3 晶须和枝晶的生长
8.3.4 模压外壳的疲劳失效
8.4 盖式密封失效机理的应力极限
第9章 结论
9.1 稳态温度的影响
9.2 温度循环次数的影响
9.3 温度梯度的影响
9.4 时间相关的温度变化的影响
附录
参考文献
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