微电子工艺基础

　　1硅材料及硅化合物化学性质1
　　11硅单晶的化学性质1
　　12硅化合物的化学性质3
　　13高纯硅制备的化学原理20
　　参考文献232微电子技术中的高纯水制备24
　　21天然水中的杂质24
　　22微电子技术工程用水27
　　23离子交换法制备纯水31
　　24电渗析法制备纯水的原理37
　　25反渗透法制备纯水的原理41
　　参考文献503微电子技术中的化学清洗52
　　31晶片表面清洗的重要性52
　　32晶片清洗的基本理论和方法55
　　33颗粒吸附状态分析及优先吸附模型58
　　34表面活性剂在化学清洗中的应用61
　　35硅片清洗的常用方法与技术63
　　36清洗工艺设备和安全操作71
　　37溶液清洗技术的现状和发展方向73
　　38新型清洗技术76
　　参考文献794氧化工艺技术81
　　41二氧化硅膜在器件中的作用81
　　42二氧化硅的结构和性质82
　　43二氧化硅膜制备的化学原理85
　　44二氧化硅硅界面的物理性质101
　　45二氧化硅玻璃中的杂质102
　　46杂质在二氧化硅中的扩散106
　　47二氧化硅膜质量的检验109
　　参考文献1135扩散工艺技术114
　　51扩散原理与模型114
　　52常用扩散杂质的化学性质119
　　53扩散分布的测量分析123
　　参考文献1276刻蚀工艺技术129
　　61湿法刻蚀129
　　62干法刻蚀133
　　63刻蚀技术新进展142
　　参考文献1467制版工艺技术148
　　71制版工艺过程148
　　72超微粒干版制备的化学原理151
　　73铬版制备技术157
　　74氧化铁版制备的化学原理161
　　参考文献1688外延生长技术169
　　81硅外延技术在IC发展中的作用169
　　82硅外延生长的化学原理173
　　83外延生长动力学176
　　84外延层中杂质浓度分布180
　　85硅烷热分解法外延与选择外延184
　　86外延层上的缺陷及检验185
　　87硅外延自掺杂效应及控制190
　　88硅外延片滑移线产生及消除技术193
　　89硅外延生长的工艺优化——反向补偿法196
　　参考文献1999金属化处理技术201
　　91化学气相沉积金属过程201
　　92物理气相沉积金属过程214
　　93电极制备218
　　参考文献23110电子封装技术234
　　101封装技术概述234
　　102陶瓷封装237
　　103塑料封装242
　　104封装的化学原理247
　　参考文献257

　　    为了使相关读者更深入了解掌握微电子工艺技术的原理，本书前部分主要介绍了集成电路制备工艺中有关的物理、化学知识、第4章至第10章是全书重点，介绍了工艺过程、工艺设备以及IC制备中的新技术、新方法。全书共分10章，主要内容涉及半导体硅材料及化合物的化学性质，高纯水的制备，清洗技术，氧化、扩散、刻蚀、制版、外延、金属化处理、电子封装等主要工艺的原理等。
　　    本书可作为高等院校相关专业的教材，也可作为教师和研究生的参考用书，同时也能供广大从事微电子相关领域的工程技术人员参考。