目录第1章 半导体基础 001001 介于导体和绝缘体之间的物质——半导体 002002 半导体也有很多种①半导体的种类 004003 半导体也有很多种②半导体的骄子——硅 006004 固态硅的三种形态 单晶、多晶、非晶 008005 硅半导体内的电传导① 自由电子导电的n型硅 010006 硅半导体内导电的物质②空穴导电的p型硅 012007 半导体中的电子和空穴是如何运动的？ 能带和能带理论① 014008 半导体中的电子和空穴是如何运动的？ 能带和能带理论② 016009 具有与硅不同特征的半与钵由2种以上元素构成的“化合物半导体” 018COLUMN 氧化物半导体和有机半导体 020第2章 半导体器件 021010 能阻碍电流流动的电阻 半导体制造的“电阻元件” 022011 能暂时储存电的电容半导体制造的“电容元件” 024012 使电流单向流动的器件pn结二极管 026013 把光变成电的半导体器件光电二极管 028014 把电变成光的半导体器件发光二极管 030015 通信和存储方面的广泛应用半导体激光 032016 晶体管足什么 代表性晶体管的种类 034017 以电子作为载流子的MOS晶体管 n沟道型 036018 以空穴作为载流子的MOS晶体管p沟道型 038019 让移动设备成为可能CMOS 040020 用pn结作为栅极的晶体管JFET--042021 利用肖特基栅极的晶体管 MESFET 044022 利用电子与空穴的晶体管双极型晶体管 046COLUMN 晶体管的诞生 048第3章 半导体集成电路——逻辑电路 049023 将电子元器件和线路制作在半导体电路板上集成电路- 050024 各种各样的lC根据结构、基板、信号不同而不同 052025 芯片上能够装多少个元件根据集成度进行的MOS-IC分类 054026 lC都有什么样的功能按功能对MOS-IC分类 056027 逻辑电路的数学基础布尔代数 058028 逻辑电路的基本组成要素“门电路”①NOT电路 060029 逻辑电路的基本组成要素“门电路”②OR电路 062030 逻辑电路的基本组成要素“门电路”⑧AND电路 064031 进行加法运算的电路加法电路 066032 进行减法运算的电路减法电路 068033 比较判断信号大小的电路比较电路和异或电路 070034 实现作为计算机大脑功能的IC MPU 072035 实现徽机功能的IC MCU-- 074036 处理数字信号的特殊处理器DSP 076037 根据使用者、用途不同而被专用化的IC ASIC 078038 用户可自己变更功能的逻辑电路可编程逻辑器件PLD- 080039 在IC芯片上实现系统功能系统LSI 082040 被称作电子眼的IC CCD 084COLUMN 最早的电子计算机 086第4章 半导体集成电路——存储器 087041 暂时记录数据的电路触发器和暂存器 088042 记忆信息的半导体的结构 090043 计算机的主要存储器DRAM 092044 不需要保存过程的高速存储器SRAM--094045 制造阶段记录数据的存储器 掩模式只读内存 096046 切断电源也可以持续记忆的存储器 闪存 098047 相同数量的存储单元记忆容量增加 多值内存 100COLUMN 微型化的指导原理——定标原理 102第5章 IC开发和设计 103048 lC开发流程 从市场调查到上市 104049 IC的分层设计 从系统设计到版图设计 106050 关于IC的元件尺寸与位置关系的规则 设计标准 108051 设计IC的结构和电特性 设备设计 110052 设计IC的制造方法 流程设计 112COLUMN 半导体业的分化 114第6章 硅晶片的制作方法 115053硅元素无处不在 116054 多晶硅是硅石经还原、转化、蒸馏而成的 118055 使单晶硅棒生长的CZ法 120056 单晶棒切片以及磨面加工 122057 以毒制毒 晶体吸杂 124058 硅晶片派生物 外延生长晶片和SOI 126COLUMN 硅晶片的性能要求 128第7章 IC的制作方法①——前工序 129059 lC的整体制造过程概观 前工序和后工序 130060 原件形成前工序的前半部分① FEOL 132061 原件形成前工序的前半部分② FEOL 134062 配线形成前工序的后半吝B分 BEOL 136063 导体、绝缘体、半导体的薄膜形成技术 成膜工程 138064 把掩膜形式转变成品片 光刻技术 140065 材料膜腐蚀去除蚀刻法 142066 半导体呈加入杂质 热扩散和离子注入 144067 各种热处理的作用 推进、回流、退火 146068 晶片表面完全平整化 CMP 148069 清洁晶片 清洗 150070 判定晶片上芯片的优劣 晶片检测和修饰 152COLUMN 净化车间 154第8章 集成电路的制作方法②——后工序 155071 把晶圆切割成一个个芯片 切割 156072 芯片封装 安装 158073 芯片电极和包装接线柱的连接 金属丝焊接 160074 芯片封装密封 162075 封装接线端识别IC 引线镀金、盖印、成形 164076 包装的种类 通7L安装和表面安装 166077 IC的形状和特性检测 检查和分类 168COLUMN IC的可靠性和筛选 170第9章 半导体尖端技术 171078 硅晶圆的大尺寸化 下一代晶圆是450mm 172079 MOS晶体管高速化 应变硅技术 174080 新结构MOS晶体管 被称作最终的晶体管结构 176081 光刻技术的未来① 浸没式曝光和双重曝光 178082 光刻技术的未来② Euv 180083 光刻技术的未来③ ML2和纳米压印 182084 万能的功能存储器可以实现吗① 功能存储器的候选技术 184085 万能的功能存储器可以实现吗② 强电介质存储器和磁性存储器 186086 万能的功能存储器可以实现吗③ 相变存储器和可变电阻式存储器 188087 新材料引进带来的突破① 高-k栅极绝缘膜和金属栅极 190088 新材料引进带来的突破② DRAM高容量膜和低-k层间绝缘膜 192COLUMN “More Moore”和“More than Moore” 194参考文献 195译后记 196
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