模拟CMOS集成电路设计

　　第1章 绪论
　　1.1 集成电路的发展历史及趋势
　　1.2 模拟集成电路的功能及应用领域
　　1.3 模拟集成电路与数字集成电路的比较
　　1.4 模拟集成电路的设计流程
　　1.5 HSpice仿真简介
　　本章小结
　　第2章 元器件及其模型
　　2.1 pn结与二极管
　　2.1.1 pn结的形成
　　2.1.2 pn结的特性
　　2.1.3 二极管
　　2.2 双极型晶体管
　　2.2.1 结构及工艺实现
　　2.2.2 基本工作原理
　　2.2.3 大信号模型
　　2.2.4 小信号模型
　　2.3 CMOS器件
　　2.3.1 物理结构
　　2.3.2 电路符号
　　2.3.3 工作原理
　　2.3.4 大信号模型
　　2.3.5 二级效应
　　2.3.6 寄生电容
　　2.3.7 小信号模型
　　2.3.8 闩锁效应
　　2.3.9 传输门电路
　　2.4 电阻
　　2.4.1 方块电阻
　　2.4.2 多晶硅电阻
　　2.4.3 阱电阻
　　2.4.4 扩散电阻
　　2.4.5 金属电阻
　　2.4.6 电阻模型
　　2.5 电容器
　　2.5.1 电容器的结构
　　2.5.2 传统电容器
　　2.5.3 CMOS电容
　　2.5.4 金属金属电容器
　　2.5.5 电容模型
　　本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第3章 单级放大器
　　3.1 电流镜
　　3.1.1 电流镜的结构
　　3.1.2 电流镜的误差
　　3.1.3 电流镜的小信号等效电路
　　3.2 共源放大器
　　3.2.1 电阻负载共源放大器
　　3.2.2 二极管负载共源放大器
　　3.2.3 电流镜负载共源放大器
　　3.2.4 推挽放大器
　　3.3 源极跟随器
　　3.4 共栅放大器
　　3.5 高输出阻抗电流镜
　　3.6 共源共栅放大器
　　3.7 差动放大器
　　3.7.1 电阻负载差动放大器
　　3.7.2 有源负载差动放大器
　　3.7.3 单端输出差动放大器
　　3.8 放大器的频率特性
　　3.8.1 共源放大器
　　3.8.2 源极跟随器
　　3.8.3 共源共栅放大器
　　3.8.4 差动放大器
　　本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第4章 运算放大器
　　4.1 运算放大器的基本结构
　　4.1.1 概述
　　4.1.2 普通两级运算放大器
　　4.2 稳定性与相位补偿
　　4.2.1 闭环工作时的稳定性
　　4.2.2 相位补偿方法
　　4.3 运算放大器的性能参数
　　4.3.1 直流或低频特性
　　4.3.2 高频特性
　　4.3.3 瞬态特性
　　4.3.4 增益线性度
　　4.3.5 两级运算放大器设计
　　4.4 高性能运算放大器
　　4.4.1 套筒式共源共栅运算放大器
　　4.4.2 折叠式共源共栅运算放大器
　　4.4.3 高增益运算放大器
　　4.4.4 轨对轨运算放大器
　　4.4.5 全差动运算放大器
　　4.4.6 微功耗运算放大器
　　4.5 输出级电路
　　4.5.1 输出级电路的类型
　　4.5.2 源极跟随器输出级
　　4.5.3 甲乙类共源输出级
　　4.5.4 低功耗输出级
　　4.6 运算放大器的性能解析
　　4.6.1 DC特性解析
　　4.6.2 AC特性解析
　　4.6.3 瞬态特性解析
　　本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第5章 基准电压与电流
　　5.1 MOS管型基准源
　　5.1.1 MOS管型分压器
　　5.1.2 改进的MOS管型基准源
　　5.2 二极管型基准源
　　5.2.1 与CMOS工艺兼容的双极型晶体管和二极管
　　5.2.2 具有负温度系数的基准源
　　5.2.3 具有正温度系数的基准源
　　5.2.4 带隙基准电压源
　　5.2.5 高精度电流源
　　本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第6章 噪声
　　6.1 器件噪声模型
　　6.1.1 电阻
　　6.1.2 场效应管
　　6.1.3 二极管
　　6.2 电路噪声性能
　　6.2.1 共源放大器
　　6.2.2 共栅放大器
　　6.2.3 源极跟随器
　　6.2.4 共源共栅放大器
　　6.2.5 差分放大器
　　6.2.6 CMOS运算放大器
　　6.3 光纤前置放大器电路噪声分析举例
　　本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第7章 开关电容电路
　　7.1 开关电容电路的基本原理
　　7.2 开关电容放大器
　　7.3 开关电容积分器
　　7.4 开关电容滤波器
　　本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第8章 数据转换器
　　8.1 数模转换器的基本工作原理
　　8.1.1 数模转换器的基本工作原理
　　……
　　第9章 振荡器
　　第10章 锁相环
　　附录 CMOS工艺技术

　　魏先存，工学博士，西北工业大学教授、博士生导师。多年从事模拟与混合信号VLSI的研究和开发，在混合高压工艺、数模混合信号CMOS集成电路方面，研制成功多款TFT-LCD驱动控制芯片、高速高精度ADC和DAC芯片、高精度稳压电源芯片以及高速接口电路芯片。目前主要从事混合信号Soc设计方法学、低压低功耗模拟集成电路、CMOS图像传感器以肢数字电源等方面的研究与开发。发表论文七十余篇，获授权国家发明专利5项，省部级科学技术一等奖1项。
　　陈莹梅，主要从事模拟与混合信号集成电路设计方面的研究，主要研究内容包括2.5-40 Gb／s超高速单片集成光接收机芯片的研制，GPs接收机芯片研制等，其中负责研制的两种芯片分别被鉴定为具有“国际先进水平”和“国内先进水平”。主持翻泽了国外经典教材《模拟集成电路设计精粹》，已出版教材《集成电路设计》，现讲授“模拟集成电路设计”和“通信电子线路”等课程，在国外核心学术期刊及学术会议上发表研究论文二十余篇，其中被SCI、EI收录十余篇。
　　胡正飞，研究方向为电磁场与微波技术、卫星通信、集成电路设计与应用等。先后主持或参与了海上卫星移动通信关键技术研究、便携式卫埋移动通信系统等十几个项目或产晶的研究开发工作；发表学术论文十余篇；获国家发明专利8项，实用新型专利7项；获江苏省科技进步二等奖1项、三等奖1项，广东省科技进步一等奖1项。

　　《模拟CMOS集成电路设计》是作者结合自己多年的科研实践，在参考国内外同类教材的基础上，精心编著而成的。《模拟CMOS集成电路设计》结合现代CMOS工艺的发展，从元器件出发，详细分析了各种典型模拟CMOS集成电路的工作原理和设计方法，对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。
　　全书共分10章，其中前6章介绍CMOS元器件和基本单元电路的基础知识，后4章介绍它们的典型应用，包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。
　　《模拟CMOS集成电路设计》可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用（大约需要60学时），也可供模拟集成电路设计工程师参考。
　　《模拟CMOS集成电路设计》的读者应具备电路和信号方面的基础知识，如果读者还具备半导体物理方面的知识，则更容易理解《模拟CMOS集成电路设计》的内容。