存储器IC的应用技巧

　　第1章  UV—EPROM的结构与使用方法
　　1.1  UV—EPROM的结构与特征
　　1.1.1  UV—EPROM的单元结构
　　1.1.2  UV—EPROM的写入与擦除
　　1.1.3  一次性PROM
　　1.2  UV—EPROM的输入输出信号
　　1.3  操作模式
　　1.3.1  数据读(Data Read)
　　1.3.2  输出禁止(Output Disable)
　　1.3.3  待机(TTL／CMOS)
　　1.3.4  编程(Programming)
　　1.3.5  编程验证(Program Verify)
　　1.3.6  编程禁止(Program Inhibit)
　　1.3.7  自动选择(Auto Select)
　　1.4  DC规定
　　l.5  UV—EPROM的读操作
　　1.6  UV—EPROM的编程方法
　　1.6.1  UV-EPROM写入方式的变迁
　　1.6.2  Am27C010的编程方法
　　1.6.3  UV—EPROM擦除器的制作
　　第2章  闪速存储器的结构与使用方法
　　2.1  闪速存储器的概要
　　2.2  闪速存储器的分类及特征
　　2.3  NAND闪速存储器
　　2.3.1  TC58V64的引脚配置
　　2.3.2  NAND闪速存储器的内部结构
　　2.3.3  操作指令
　　2.4  NOR闪速存储器
　　2.4.1  引脚配置
　　2.4.2  信号的种类
　　2.4.3  与处理器的连接实例
　　2.4.4  读周期的概要
　　2.4.5  写周期的概要
　　2.4.6  读周期的时序
　　2.4.7  写周期的时序
　　2.4.8  闪速存储器指令
　　[专栏]  555h／2AAh与5555h／2AAAh有何区别
　　2.4.9  闪速存储器的状态
　　第3章  EEPROM的结构与使用方法
　　3.1  EEPROM的概要
　　3.2  串行EEPROM
　　3.3  Microwire总线对应的存储器——M93Cx6
　　3.3.1  M93Cx6的引脚配置
　　3.3.2  Microwire总线的存取操作
　　3.4  SPI总线存储器——M95256
　　3.4.1  M95256的引脚配置
　　3.4.2  SPI总线对应的存储器的操作
　　3.4.3  指令设置
　　3.4.4  状态寄存器
　　3.5  I2C总线对应的存储器——M24CXX
　　3.5.1  I2C总线与串行EEPROM
　　3.5.2  I2C总线存储器M24C0l—M24C16
　　3.5.3  I2C总线的基本操作
　　3.5.4  写操作的流程
　　3.5.5  读操作的流程
　　3.5.6  扩展I2C总线存储器
　　3.5.7  M24C64的时序
　　3.6  并行EEPROM
　　3.6.1  M280lO的信号
　　3.6.2  基本的存取操作
　　3.6.3  EEPROM的写入操作及指令
　　3.6.4  状态寄存器
　　第4章  SRAM的结构与使用方法
　　4.1  SRAM的单元结构
　　4.1.1  RS触发器
　　4.1.2  4晶体管单元
　　4.1.3  6晶体管单元
　　4.2  SRAM的分类
　　4.2.1  异步SRAM
　　4.2.2  同步SRAM
　　4.2.3  双端口SRAM
　　4.2.4  FIFO
　　4.3  异步SRAM
　　4.3.1  异步SRAM的信号
　　4.3.2  异步SRAM的基本操作
　　4.3.3  时序的解析
　　4.4  同步SRAM
　　4.4.1  同步管道突发式SRAM
　　4.4.2  实际的同步管道突发式SRAM
　　4.4.3  同步管道突发式SRAM的各种信号
　　4.4.4  同步管道突发式SRAM的基本操作
　　4.4.5  同步突发式SRAM
　　4.4.6  实际的同步突发式SRAM
　　4.4.7  同步突发式SRAM的单一读操作
　　4.4.8  同步突发式SRAM的突发读操作
　　4.5  SRAM主板的制作
　　4.5.l  ISA总线存储器周期的注意事项
　　4.5.2  SRAM存储器主板的基本设计
　　4.5.3  SRAM存储器主板的操作确认
　　第5章  特殊的SRAM的结构与使用方法
　　5.1  双端口SRAM
　　5.1.1  异步类型的双端口SRAM
　　5.1.2  CY7C019的引脚配置
　　5.1.3  CY7C019的信号线
　　5.l.4  CY7C019的基本操作功能
　　5.1.5  同步类型的双端口SRAM
　　5.1.6  CY7C09199的引脚配置
　　5.1.7  CY7C09199的信号
　　5.1.8  CY7C09199的存取操作
　　5.2  FIFO存储器
　　5.2.1  实际的FIF0存储器
　　5.2.2  CY7C419的信号
　　5.2.3  CY7C419的操作
　　第6章  DRAM的结构与使用方法
　　6.1  DRAM的单元结构
　　6.1.1  DRAM单元结构的概况
　　6.1.2  刷新
　　6.1.3  软错误
　　6.1.4  电容器的设计
　　6.2  DRAM内部电路
　　6.3  DRAM的外部接口
　　6.3.1  DRAM的基本信号
　　6.3.2  DRAM的读／写操作
　　6.3.3  DRAM的刷新操作
　　6.3.4  DRAM的快速访问模式
　　6.4  同步DRAM
　　6.4.1  同步DRAM的信号
　　6.4.2  SDRAM指令
　　6.4.3  同步DRAM的存取操作示例
　　6.5  DDR—SDRAM
　　6.5.1  DDR—SDRAM的信号
　　6.5.2  DDR—SDRAM的操作
　　6.6  直接总线式DRAM
　　6.6.1  直接总线式DRAM的信号
　　6.6.2  直接总线式DRAM的信号连接
　　6.6.3  直接总线式DRAM的操作概况
　　6.6.4  直接总线式DRAM的操作示例
　　6.7  VC—DRAM及其内部结构
　　6.8  FCRAM
　　附录  存储器模块在个人计算机中的应用
　　参考文献

　　桑野雅彦，1984年毕业于早稻田大学理工学部，进入东京芝浦电气（现在的东芝）；1998年独立从事开发与设计。

　　本书主要介绍了5种存储器IC的结构及使用方法，分别为：UVEPROM、闪速存储器、EEPROM、SRAM和DRAM。同时还介绍了SRAM的两种特殊类型。本书以实际的产品为例，分类描述了它们的设计结构和工作原理，具有很强的实用性。
　　本书非常适合从事计算机、通信、家电领域及存储器IC相关领域的研发及工程技术人员学习参考，是从业人员的好帮手。