功率半导体器件基础（英文版）/国外信息科学与技术优秀图书系列

　　Preface
　　Chapter 1 Introduction
　　1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
　　1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
　　1.3 Unipolar Power Devices
　　1.4 Bipolar Power Devices
　　1.5 MOS-Bipolar Power Devices
　　1.6 Ideal Drift Region for Unipolar Power Devices
　　1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
　　1.8 Summary
　　Problems
　　References
　　Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
　　2.1 Fundamental Properties
　　2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
　　2.1.2 Bandgap Narrowing
　　2.1.3 Built-in Potential
　　2.1.4 Zero-Bias Depletion Width
　　2.1.5 Impact Ionization Coefficients
　　2.1.6 Carrier Mobility
　　2.2 Resistivity
　　2.2.1 Intrinsic Resistivity
　　2.2.2 Extrinsic Resistivity
　　2.2.3 Neutron Transmutation Doping
　　2.3 Recombination Lifetime
　　Chapter 3 Breakdown Voltage
　　Chapter 4 Schottky Rectifiers
　　Chapter 5 P-i-N Rectifiers
　　Chapter 6 Power Mosfets
　　Chapter 7 Bipolar Junction Transistors
　　Chapter 8 Thyristors
　　Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
　　Chapter 10 Synopsis
　　Index

　　《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》作者B.Jayant Baliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
　　《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。