半导体器件的材料物理学基础

　　前言
　　第一章 半导体材料概论
　　1.1 半导体技术发展概况
　　1.2 半导体材料综述
　　1.3 半导体材料制备概述
　　参考文献
　　第二章 半导体材料的基本特性参数
　　2.1 迁移率
　　2.2 载流子密度和电阻率
　　2.3 少数载流子寿命
　　参考文献
　　第三章 半导体材料的器件适性
　　3.1 双极器件的材料品质因子
　　3.2 单极器件的材料品质因子
　　3.3 热品质因子
　　3.4 功率器件的优选材料
　　参考文献
　　第四章 杂质工程和能带工程
　　4.1 掺杂与掺杂均匀性
　　4.2 嬗变掺杂
　　4.3 外加磁场下的单晶生长技术
　　4.4 半导体固溶体
　　4.5 量子阱效应与半导体超晶格
　　参考文献
　　第五章 半导体材料测试与分析
　　5.1 电阻率与杂质浓度测试
　　5.2 少数载流子寿命测试
　　5.3 深能级测试
　　5.4 学常数测试
　　5.5 光电特性分析
　　5.6 组份分析
　　5.7 结构分析
　　参考文献
　　附录 碳化硅材料与器件研发新进展
　　参考文献

　　    半导体材料物理学是半导体材料学、半导体物理学和半导体器件物理学的交叉。它研究材料制备与加工过程对材料物理特性的影响以及材料特性与器件特性之间的联系。《半导体器件的材料物理学基础》侧重于从器件的角度研究半导体材料的基本物理问题，主要内容包括半导体材料的基本物理参数及其与器件特性的关系：根据器件对材料基本属性的要求建立评价材料适用程度的品质因子，并由此讨论器件的材料优化问题；从充分发挥材料潜力、改善器件工作特性的角度介绍与杂质工程和能带工程有关的一些重要问题以及在器件制造过程中常用的一些材料特性检测方法与技术。
　　    《半导体器件的材料物理学基础》可作为大学电子类专业研究生的“半导体材料物理学”课程的教材和其他相关课程的辅助教材，也可供在半导体器件与微电子学领域、材料科学与工程领域以及应用物理等领域从事实际工作的工程技术人员和研究人员参考。