第一章 绪论
1.1 晶体管的发明
1.2 集成电路的发展历史
1.3 集成电路的分类
1.3.1 按器件结构类型分类
1.3.2 按集成电路规模分类
1.3.3 按结构形式分类
1.3.4 按电路功能分类
1.3.5 集成电路的分类小结
1.4 微电子学的特点
第二章 半导体物理和器件物理基础
2.1 半导体及其基本特性
2.1.1 金属-半导体-绝缘体
2.1.2 半导体的掺杂
2.2 半导体中的载流子
2.2.1 半导体中的能带
2.2.2 多子和少子的热平衡
2.2.3 电子的平衡统计规律
2.3 半导体的电导率和载流子输运
2.3.1 迁移率
2.3.2 过剩载流子
2.4 pn结
2.4.1 平衡pn结
2.4.2 pn结的正向特性
2.4.3 pn结的反向特性
2.4.4 pn结的击穿
2.4.5 pn结的电容
2.5 双极晶体管
2.5.1 双极晶体管的基本结构
2.5.2 晶体管的电流传输
2.5.3 晶体管的电流放大系数
2.5.4 晶体管的直流特性曲线
2.5.5 晶体管的反向电流与击穿电压
2.5.6 晶体管的频率特性
2.6 MOS场效应晶体管
2.6.1 MOS场效应晶体管的基本结构
2.6.2 MIS结构
2.6.3 MOS场效应晶体管的直流特性
2.6.4 MOS场效应晶体管的种类
2.6.5 MOS场效应晶体管的电容
第三章 大规模集成电路基础
3.1 半导体集成电路概述
3.2 CMOS集成电路基础
3.2.1 集成电路中的MOSFET
3.2.2 MOS数字集成电路
3.2.3 CMOS集成电路
3.3 半导体存储器集成电路
3.3.1 存储器的种类和基本结构
3.3.2 随机存取存储器(RAM)
3.3.3 掩模只读存储器(ROM)
3.3.4 可编程只读存储器PROM
第四章 集成电路制造工艺
4.1 材料膜的生长——化学气相淀积（CVD）
4.1.1 化学气相淀积方法
4.1.2 单晶硅的化学气相淀积（外延）
4.1.3 二氧化硅的化学气相淀积
4.1.4 多晶硅的化学气相淀积
4.1.5 氮化硅的化学气相淀积
4.1.6 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）
4.2 二氧化硅材料的特有生长方法——氧化
4.2.1 SiO2的性质及其作用
4.2.2 热氧化形成SiO2的机理
4.2.3 氧化形成SiO2的方法
4.3 材料膜的生长——物理气相淀积
4.4 向衬底材料的图形转移——光刻
4.4.1 光刻工艺简介
4.4.2 几种常见的光刻方法
4.4.3 超细线条光刻技术
4.5 材料膜的选择性去除——刻蚀
4.6 扩散与离子注入
4.6.1 扩散
4.6.2 扩散工艺
4.6.3 离子注入
4.6.4 离子注入原理
4.6.5 退火
4.7 接触与互连
4.7.1 CMP（化学机械抛光）
4.7.2 Cu互连的大马士革工艺
4.7.3 难熔金属硅化物栅及其复合结构
4.7.4 多层互连
4.8 隔离技术
4.9 MOS集成电路工艺流程
4.10 集成电路工艺小结
第五章 半导体材料
5.1 引言
5.2 半导体材料基础
5.2.1 材料的晶体结构
5.2.2 化学键和固体的结合
5.2.3 能带论
5.2.4 晶体的缺陷
5.2.5 晶体的掺杂
5.3 衬底材料
5.3.1 Si材料
5.3.2 GeSi材料
5.3.3 应变Si材料
5.3.4 SOI材料
5.3.5 GaN材料
5.4 栅结构材料
5.4.1 栅电极材料
5.4.2 栅绝缘介质材料
5.5 源漏材料
5.6 存储电容材料
5.6.1 DRAM存储电容材料
5.6.2 闪速存储器（Flash）
5.6.3 非挥发性铁电存储器（FeRAM）
5.6.4 磁随机存储器（MRAM）
5.6.5 相变存储器（PCRAM）
5.6.6 电阻式存储器（RRAM）
5.7 互连材料
第六章 集成电路设计
6.1 集成电路的设计特点与设计信息描述
6.1.1 设计特点
6.1.2 设计信息描述
6.2 集成电路的设计流程
6.2.1 功能设计
6.2.2 逻辑与电路设计
6.2.3 版图设计
6.3 集成电路的版图设计规则
6.3.1 以λ为单位的设计规则
6.3.2 以um为单位的设计规则
6.4 集成电路的设计方法
6.4.1 集成电路的设计方法选择
6.4.2 全定制设计方法
6.4.3 标准单元设计方法（SC方法）和积木块设计方法（BBL方法）
6.4.4 门阵列设计方法（GA方法）
6.4.5 可编程逻辑电路设计方法
6.5 几种集成电路设计方法的比较
6.6 可测性设计技术
……
第七章 集成电路设计的EDA系统
第八章 系统芯片(SOC)设计
第九章 光电子器件
第十章 微机电系统
第十一章 集成电路封装
第十二章 微电子技术发展的规律和趋势
附录A
附录B
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