普适弛豫定律（影印版）

　　Preface
　　Acknowledgements
　　Useful Physical Constants
　　Chapter 1  THE MEANING OF UNIVERSALITY
　　1.1  The last twelve years
　　1.2  Basic definitions
　　1.3  Empirical response functions
　　1.4  Calculation of total polarisation
　　1.5  The nature of universality
　　1.6  Negative capacitance
　　1.7  Recovery of field on open-circuit Basic equations:
　　1.8  Energy loss in the time domain
　　1.9  Concluding comments
　　Appendix 1.1 Integration in Logarithmic Coordinates
　　Appendix 1.2 Values of n and cot(nπ/2)
　　References to chapter 1
　　Chapter 2  DIELECTTRIC RESPONSE OF SEMICONDUCTORS
　　2.1  Delayed electronic transitions
　　2.2  A simple barrier model
　　2.3  Response of Schottky diodes
　　Adventitious barriers on semi-insulating material
　　2.5  Response of p-n junctions
　　High-purity p-n junctions
　　Junctions with deep levels
　　Heavily doped Zener diodes
　　Conclusions regarding space charge region responses
　　2.5  Junction diffusion capacitance
　　a) Low-frequency response
　　b) High-frequency response
　　2.6  Volume trapping-detrapping
　　2.7  Hopping conduction
　　Electronic processes
　　Semi-insulating GaAs
　　Ionic Transport
　　2.8  Concluding comments
　　References to Chapter 2
　　Chapter 3 LUMINESCENCE AND PHOTOCONDUCTIVITY
　　3.1  The relevance of the subject
　　3.2  Idealised light emission rates
　　3.3  Analytical formulation
　　The limit of rapid trapping
　　3.4  Review of luminescence data
　　Exponential decays
　　Simple power law decays
　　More complex behaviours
　　3.5  Conclusions from luminescence
　　3.6  Photoconductivity in the F-D
　　Principles of photoconductive behaviour
　　Analytical formulation
　　3.7  Conclusions
　　References to Chapter 3
　　Chapter 4 "FLAS" DIELECTRIC RESPONSE
　　Chapter 5 LOW-FREQUENCY DISPERSION
　　Chapter 6 DC AND AC CONDUCTIVITY
　　Chapter 7 CHEMICAL REACTION DINETICS
　　Chapter 8 THERMALLY STIMULATED DEPOLARISATION
　　Chapter 9 MECHANICAL rELAXATION
　　Chapter 10 MEASUREMENT AND PRESENTATION OF DATA
　　Chapter 11 THEORETICAL INTERPRETATIONS
　　Chapter 12 THE ENERGY CRITERION
　　Author Index
　　Subject Index

　　A.K.琼克（A.K.Jonscher，1922-2005），生于波兰华沙，1949年在伦敦大学玛丽皇后学院以一级荣誉学士学位毕业，并在该校Harry Tropper教授的指导下于1952年获得博士学位，1951年起在GEC研究实验室工作，从事半导体器件物理原理方面的研究工作，1962年以Reader身份加入伦敦大学切尔西学院，1965年成为固态电子学教授，1987年成为伦敦大学皇家霍洛威与贝德福德斯学院荣誉教授，1990年受邀为IEEE“普适介电晌应”杰出怀特海荣誉讲席。琼克教授在介电弛豫研究方面具有很深的造诣，他于1983年和1996年分别出版的分别出版的学术专著《固体中的介电弛豫》和《普适弛豫定律》，在国际学术界享有盛誉。
　　姚熹，1935年生于中国江苏苏州。1957年毕业于交通大学电机系，1982年获美国宾夕法尼亚州立大学固态科学博士学位。
　　1957年至今在西安交通大学任教，1984年起任西安交通大学教授。1989年当选国际陶瓷科学院首批院士。1991年当选中国科学院院士。2002年当选美国陶瓷学会会士。2007年因“在电子陶瓷科学和工程创新方面做出了杰出贡献”当选美国国家工程院外籍院士。

　　本书是作者所著《固体中的介电弛豫》一书的姊妹篇，其内容是前作的延续和深化，被电介质领域的许多研究者奉为经典。作者在对普适介电弛豫进行系统描述的基础上，将其概念外推到其他传统电介质研究不涉及的弛豫过程中。书中介绍了“普适性”的含义、“平坦”的介电响应和低频介电弥散现象，讨论了半导体中的介电响应，以及发光、化学反应和力学弛豫等非介电过程的弛豫现象，并从理论角度对上述实验现象进行了解释。
　　本书可作为物理、电子、材料、电气等相关专业的教师、研究生和科研人员的参考书。