电阻率测试理论与实践

　　1 绪论
　　1.1 电阻率测试对半导体材料与器件的重要性
　　1.2 电阻率测试对工业领域的重要性
　　1.3 电阻率测试对地质物探领域的重要性
　　1.4 电阻率测试对医学领域的重要性
　　1.4.1 中风的检测与监护
　　1.4.2 肺梗塞的诊断
　　1.4.3 乳腺肿瘤的诊断
　　1.4.4 其他应用
　　2 四探针法电阻率测量基本原理
　　2.1 电阻率测量的实质问题——反演问题
　　2.2 四探针技术在半导体测量领域中的应用
　　2.2.1 作为最为广泛的工艺监测手段之
　　2.2.2 测试抛光的硅单晶和硅片的少子寿命
　　2.2.3 评估VLSI互联金属薄膜可靠性
　　2.3 四探针技术在其他方面的应用
　　2.3.1 用于构件和材料的无损检测
　　2.3.2 作为芯片内部质量探测分析的工具
　　2.4 四探针法的分类
　　2.4.1 直线四探针法
　　2.4.2 方形四探针法
　　2.4.3 范德堡法
　　2.5 四探针技术的研究现状
　　2.6 拉普拉斯方程及其在三维电流场中的分析解
　　2.6.1 直线四探针法的原理
　　2.6.2 直线四探针法的测准条件简述
　　2.7 拉普拉斯方程及其在平面电流场中的分析解
　　2.8 直线四探针法的测量区域的局限性
　　2.9 四探针法中的边缘几何效应修正及镜像源理论
　　2.9.1 四探针法中的边缘几何效应修正
　　2.9.2 直线四探针法中镜像源理论的厚度修正
　　2.10 两种四探针法的几何效应修正的相关性
　　2.10.1 引言
　　2.10.2 推论及其结果
　　2.10.3 实验验证结果
　　2.10.4 小结
　　2.11 四探针法中的几种图形变换理论简介
　　2.12 电阻率测量中的互易定理及其证明
　　2.12.1 互易定理的定义
　　2.12.2 Kirchhoff方程
　　2.12.3 Kirchhoff方程的解
　　2.12.4 在回路中设置电阻器尺卿和尺
　　2.12.5 在电阻率测试的薄层样品中的互易定理
　　2.12.6 体电阻率测量时的互易定理及其证明
　　3 静电场数值计算有限元方法
　　3.1 静电场中重要定律和方程
　　3.1.1 欧姆定律
　　3.1.2 奥高定律
　　3.1.3 静电场中的泊松方程
　　3.1.4 高斯定理
　　3.1.5 格林定理
　　3.1.6 静电场能量
　　3.2 变分原理与泛函
　　……
　　范德堡法其其改进电阻测量基本原理
　　鲁美采夫斯法及其改进法电阻率测量基本原理
　　电阻率Mapping技术
　　电阻率测试的EIT技术
　　外延片的电阻率测试
　　接解电阻的测量 
　　电阻率测试的测准条件
　　参考文献

　　    《电阻率测试理论与实践》以电阻率测量中广泛使用的探针技术为对象，对电阻率测试中许多理论问题作了深入讨论，如静电场有限元理论、图形变换理论、镜像源理论、互易定理及其证明，为创造新的测试法打下坚实基础。