模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模（影印版）

　　Foreword
　　Hiroshi Iwai
　　Introduction
　　Wladek Grabinski， Bart Nauwelaers and Dominique Schreurs
　　1 2/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behavior of semiconductor structures
　　Daniel Donoval， Andrej Vrbicky， Ales Chvala， and Peter Beno
　　2 PSP： An advanced surface-potential-based MOSFET model
　　R. van Langevelde， and G. Gildenblat
　　3 EKV3.0： An advanced charge based MOS transistor model. A design-oriented MOS transistor compact model for next generation CMOS
　　Matthias Bucher， Antonios Bazigos， Francois Krummenacher，Jean-Micehl Sallese， and Christian Enz
　　4 Modelling using high-frequency measurements
　　Dominique Schreurs
　　5 Empirical FET models
　　Iltcho Angelov
　　6 Modeling the SOI MOSFET nonlinearities. An empirical approach
　　B. Parvais， A. Siligaris
　　7 Circuit level RF modeling and design
　　Nobuyuki Itoh
　　8 On incorporating parasitic quantum effects in classical circuit simulations
　　Frank Felgenhauer， Maik Begoin and Wolfgang Mathis
　　9 Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMS
　　Christophe Lallement， Francois Pecheux， Alain Vachoux and Fabien Pregaldiny
　　10 Compact modeling in Verilog-A
　　Boris Troyanovsky， Patrick OHalloran and Marek Mierzwinski
　　Index

　　    《模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模（影印版）》作者对于MOS 晶体管模型有很深刻的理解。第一章涉及2/3D工艺和器件仿真，以此作为理解半导体结构内部行为的有力工具。在接下来的章节中，作者详细讨论了PSP 和EKV模型的主流发展，比较了基于物理的MOSFET模型和通常用于射频电路的基于测量的模型，这些比较包括相关的经验模型和测量模型。在后续的章节中，作者讨论了小尺寸MOSFET器件的改善方法。最后，介绍了诸如VHDL-AMS 和 Verilog-A等硬件描述语言，说明了前述不同模型的实际可实现性及标准化。