普通高等教育十五国家级规划教材：大规模集成电路设计

　　第1章 集成电路设计概论
　　1.1 集成电路的发展
　　1.2 IC的分类
　　1.3 IC设计的要求
　　1.4 电子设计自动化技术的发展
　　1.5 IC的设计方法学
　　1.6 深亚微米和纳米工艺对EDA技术的挑战
　　1.7 SOC设计方法
　　参考文献
　　第2章 CMOS工艺及版图
　　2.1 基本工艺
　　2.1.1 CMOS工艺层
　　2.1.2 晶片工艺
　　2.1.3 光刻工艺
　　2.1.4 氧化工艺
　　2.1.5 离子注入
　　2.1.6 淀积与刻蚀
　　2.2 CMOS工艺流程
　　2.3 互连
　　2.4 工艺改进
　　2.5 无源器件
　　2.5.1 电阻
　　2.5.2 电容
　　2.6 版图设计规则
　　2.6.1 版图概述
　　2.6.2 几何设计规则
　　2.6.3 电气设计规则
　　2.6.4 设计规则检查
　　2.7 闩锁效应
　　参考文献
　　习题
　　第3章 MOS晶体管模型与CMOS模拟电路基础
　　3.1 MOS晶体管模型
　　3.1.1 MOS器件的结构
　　3.1.2 阈值电压
　　3.1.3 MOS晶体管的大信号特性
　　3.1.4 MOS器件电容
　　3.1.5 MOS晶体管的小信号模型
　　3.1.6 短沟道效应
　　3.1.7 小结
　　3.2 CMOS模拟电路的基本模块
　　3.2.1 MOS开关
　　3.2.2 有源电阻
　　3.2.3 电流源与电流镜
　　3.2.4 电压基准和电流基准
　　3.2.5 小结
　　3.3 单级CMOS放大器
　　3.3.1 共源放大器
　　3.3.2 源跟随器
　　3.3.3 共栅放大器
　　3.3.4 共源共栅放大器
　　3.3.5 差动放大器
　　3.3.6 小结
　　3.4 运算放大器
　　3.4.1 性能参数
　　3.4.2 一级运放
　　3.4.3 两级运放
　　3.4.4 运放的稳定性与频率补偿
　　3.4.5 带输出级的运算放大器
　　3.4.6 小结
　　3.5 比较器
　　3.5.1 比较器特性
　　3.5.2 差动比较器
　　3.5.3 两级比较器
　　3.5.4 箝位比较器与迟滞比较器
　　3.5.5 采用正反馈的比较器
　　3.5.6 自动调零
　　参考文献
　　习题
　　第4章 CMOS数字电路基础
　　4.1 互补静态CMOS反相器
　　4.1.1 基本原理
　　4.1.2 直流特性
　　4.1.3 瞬态特性
　　4.1.4 功耗
　　4.1.5 小结
　　4.2 CMOS传输门
　　4.2.1 NMOS传输晶体管
　　4.2.2 PM0S传输晶体管
　　4.2.3 CMOS传输门
　　4.3 静态CMOS逻辑结构
　　4.3.1 互补CMOS逻辑门
　　4.3.2 伪.NMOS电路
　　4.3.3 传输门逻辑
　　4.4 钟控CMoS
　　4.5 动态CMOS逻辑结构
　　4.5.1 基本原理
　　4.5.2 瞬态特性及功耗
　　4.5.3 影响设计的几个问题
　　4.5.4 动态电路的级联
　　4.5.5 多米诺逻辑
　　4.5.6 NP—CMOS(Zipper)
　　4.5.7 动态逻辑的特点
　　4.6 如何选择逻辑类型
　　4.7 CMOS寄存器
　　4.7.1 基本概念
　　4.7.2 静态锁存器和寄存器
　　4.7.3 动态锁存器和寄存器
　　4.7.4 真单相时钟寄存器
　　4.7.5 小结
　　参考文献
　　习题
　　第5章 模拟电路设计
　　5.1 数／模(D／A)转换器
　　5.1.1 D／A转换器的原理与性能
　　5.1.2 并行D／A转换器
　　5.1.3 并行D／A转换器分辨率的提高
　　5.1.4 串行D／A转换器
　　5.1.5 小结
　　5.2 模／数(A／D)转换器
　　5.2.1 A／D转换器的性能
　　5.2.2 串行A／D转换器
　　5.2.3 中速A／D转换器
　　5.2.4 高速A／D转换器
　　5.2.5 过采样∑一△A／D转换器
　　5.2.6 小结
　　5.3 开关电容电路
　　5.3.1 开关电容放大器
　　5.3.2 开关电容积分器
　　5.3.3 开关电容滤波器
　　5.4 锁相环
　　5.4.1 简单锁相环
　　5.4.2 电荷泵锁相环
　　5.4.3 锁相环中的非理想效应
　　5.4.4 延迟锁相环
　　5.4.5 应用
　　参考文献
　　习题
　　第6章 数字子系统设计
　　6.1 加法器
　　6.1.1 一位全加器的定义
　　6.1.2 一位全加器的电路实现
　　6.1.3 加法器电路逻辑设计
　　6.2 移位寄存器
　　6.3 计数器
　　6.4 乘法器
　　6.4.1 二进制乘法定义
　　6.4.2 部分积生成
　　6.4.3 部分积累加
　　6.4.4 最终求和
　　6.5 MOS存储器
　　6.5.1 存储器基本结构
　　6.5.2 ROM
　　6.5.3 SRAM
　　6.5.4 DRAM
　　6.5.5 非易失性读写存储器
　　6.5.6 CAM存储器
　　6.5.7 存储器外围电路
　　6.5.8 高性能存储器
　　6.6 I／0电路
　　6.6.1 输入电路
　　6.6.2 输出电路
　　参考文献
　　习题
　　附录
　　第7章 可编程逻辑器件(FPGA与CPLD)
　　7.1 概述
　　7.2 可编程器件的编程技术
　　7.2.1 反熔丝编程技术
　　7.2.2 静态RAM编程技术
　　7.2.3 EPROM和EEPROM编程技术
　　7.3 可编程器件分类
　　7.4 复杂可编程逻辑器件(CPLD)
　　7.4.1 Altera公司MAX7000系列CPLD
　　7.4.2 Xilinx公司XC9500系列CPLD
　　7.4.3 Lattice公司iSpLSI5000系列CPLD
　　7.5 基于SRAM编程的FPGA
　　7.5.1 Spartan系列FPGA
　　7.5.2 FLEXlOK系列EPGA
　　7.6 基于反熔丝技术的FPGA
　　7.6.1 Axcelerator系列FPGA结构概述
　　7.6.2 AX系列基本单元
　　7.6.3 AX系列I／O单元
　　7.6.4 AX系列的布线资源
　　7.6.5 AX系列的其他结构特性
　　7.7 用于SOPC的可编程逻辑器件
　　7.7.1 可编程逻辑发展趋势
　　7.7.2 平台FPGA
　　7.7.3 SOPC器件的设计开发流程
　　参考文献
　　习题

　　《大规模集成电路设计》根据SOC设计的基础知识和电路技术的新发展，系统地介绍模拟集成电路与数字集成电路中各种功能模块的原理、分析与设计。内容包括：MOS晶体管模型；CMOS工艺与版图；各种模拟功能块和运算放大器；开关电容电路与开关电容滤波器；模/数与数/模转换器；集成锁相环；静态与动态CMOS数字电路的基本单元；加法器、乘法器和存储器等数字电路；可编程器件FPGA/CPLD与SOPC。《大规模集成电路设计》取材新颖，由浅入深、循序渐进，侧重原理分析工程设计，是现代模拟与数字集成电路设计的教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业高年级本科生和研究生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。