ESD电路与器件

　　第1章  静电放电
　　1.1  电流和静电放电
　　1.1.1  电流和静电
　　1.1.2  静电放电
　　1.1.3  主要的ESD专利、发明和创新
　　1.1.4  ESD失效机制
　　1.2  ESD设计基本概念
　　1.2.1  ESD设计概念
　　1.2.2  对外部事件的器件响应
　　1.2.3  可选电路环路
　　1.2.4  开关
　　1.2.5  电流通路的去耦
　　1.2.6  反馈环路的去耦
　　1.2.7  电源轨的去耦
　　1.2.8  局部和全局分布
　　1.2.9  寄生元件的使用
　　1.2.10  缓冲
　　1.2.11  镇流
　　1.2.12  半导体器件、电路或芯片功能的不使用部分
　　1.2.13  浮置和非浮置网络间的阻抗匹配
　　1.2.14  非连接结构
　　1.2.15  虚拟结构和虚拟电路的使用
　　1.2.16  非缩小源事件
　　1.2.17  面积有效性
　　1.3  时间常数
　　1.3.1  静电和静磁时间常数
　　1.3.2  热学时间常数
　　1.3.3  热学物理时间常数
　　1.3.4  半导体器件时间常数
　　1.3.5  电路时间常数
　　1.3.6  芯片级时间常数
　　1.3.7  ESD时间常数
　　1.4  电容、电阻和电感和ESD
　　1.4.1  电容
　　1.4.2  电阻
　　1.4.3  电感
　　1.5  ESD和经验法则
　　1.6  集总—分布式分析和ESD
　　1.6.1  电流和电压分布
　　1.6.2  集总系统与分布式系统
　　1.6.3  分布式系统：梯形网络分析
　　1.6.4  电阻-电感-电容（RLC）分布式系统
　　1.6.5  电阻-电容（RC）分布式系统
　　1.6.6  电阻-电导（RG）分布式系统
　　1.7  ESD度量和品质因数
　　1.7.1  芯片层面上的ESD度量
　　1.7.2  电路层面的ESD度量
　　1.7.3  ESD器件度量
　　1.7.4  ESD品质和可靠性的商业度量
　　1.8  ESD方案十二步形成法
　　1.9  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第2章  设计综合
　　2.1  半导体芯片ESD保护的结构和综合
　　2.2  电学连接和空间连接
　　2.2.1  电学连接
　　2.2.2  热连接
　　2.2.3  空间连接
　　2.3  ESD保护、闩锁效应和噪声
　　2.3.1  噪声
　　2.3.2  闩锁效应
　　2.4  接口电路和ESD元件
　　2.5  ESD电源钳位网络
　　2.6  ESD轨至轨器件
　　2.6.1  ESD轨至轨网络的放置
　　2.6.2  外围和阵列I/O
　　2.7  保护环
　　2.8  焊盘、浮动焊盘和无连接焊盘
　　2.9  连接焊盘下的结构
　　2.10  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第3章  ESD设计：MOSFET电路设计
　　3.1  基本ESD设计概念
　　3.1.1  沟道长度和线宽控制
　　3.1.2  ACLV控制
　　3.1.3  MOSFET ESD设计实例
　　3.2  ESD MOSFET设计：沟道宽度
　　3.3  ESD MOSFET设计：接触孔
　　3.3.1  栅极到接触孔的间距
　　3.3.2  接触孔间距
　　3.3.3  端部接触
　　3.3.4  接触孔到单指边缘
　　3.4  ESD MOSFET设计：金属分布
　　3.4.1  MOSFET金属线设计和电流分布
　　3.4.2  MOSFET阶梯形网络模型
　　3.4.3  MOSFET连线：非并行电流分布
　　3.4.4  MOSFET连线：并行电流分布
　　3.5  ESD MOSFET设计：硅化物掩模板
　　3.5.1  硅化物掩模板设计
　　3.5.2  跨源漏的硅化物掩模设计
　　3.5.3  覆盖栅的硅化物掩模板设计
　　3.5.4  硅化物与分割
　　3.6  ESD MOSFET设计：串联共源共栅结构
　　3.6.1  串联共源共栅结构的MOSFET
　　3.6.2  完整的共源共栅MOSFET
　　3.7  ESD MOSFET设计：耦合和镇流技术的叉指设计
　　3.7.1  栅极通过镇流电阻接地的MOSFET
　　3.7.2  栅极和软衬底地之间接镇流电阻的MOSFET
　　3.7.3  源栅耦合的多米诺镇流电阻的MOSFET结构
　　3.7.4  MOSFET源启动栅自举镇流电阻的叉指结构
　　3.7.5  MOSFET源启动栅自举利用二极管电阻镇流的叉指MOSFET
　　3.8  ESD MOSFET设计：封闭的漏极设计参数
　　3.9  ESD MOSFET互连镇流设计
　　3.10  MOSFET设计：源和漏的分割
　　3.11  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第4章  ESD设计：二极管设计
　　4.1  ESD二极管设计：ESD的基础
　　4.1.1  ESD设计的基本概念
　　4.1.2  ESD二极管设计：ESD二极管工作原理
　　4.2  ESD二极管设计：阳极
　　4.2.1  p+阳极扩散的宽度效应
　　4.2.2  p+阳极接触
　　4.2.3  p+阳极金属硅化区边缘设计
　　4.2.4  p+阳极和n+阴极的隔离间距
　　4.2.5  p+阳极的边端效应
　　4.2.6  圆形和八边形ESD二极管设计
　　4.3  ESD二极管设计：互连线
　　4.3.1  并行布线设计
　　4.3.2  反并行布线设计
　　4.3.3  量化锥形并行和反并行布线
　　4.3.4  连续锥形反并行和并行布线
　　4.3.5  中心馈电垂直（侧边）布线设计
　　4.3.6  均匀金属宽度垂直（侧边）设计
　　4.3.7  T形延伸垂直（侧边）布线
　　4.3.8  键合焊盘下的金属设计
　　4.4  ESD二极管设计：多晶硅界定的二极管设计
　　4.5  ESD二极管结构设计： n阱二极管设计
　　4.5.1  n阱二极管连线设计
　　4.5.2  n阱接触密度
　　4.5.3  n阱ESD设计，保护环和毗邻结构
　　4.6  ESD二极管的设计：n+/p衬底二极管设计
　　4.7  ESD二极管设计：二极管串
　　4.7.1  ESD设计：二极管串电流-电压关系
　　4.7.2  多I/O环境下的二极管串元件
　　4.7.3  焊盘集成
　　4.7.4  ESD设计：二极管串设计——达林顿放大器
　　4.7.5  ESD设计：二极管串设计——面积比
　　4.8  ESD二极管设计：三阱二极管
　　4.9  ESD设计：BICMOS ESD设计
　　4.9.1  高阻注入子集电极的p+/n阱二极管ESD结构
　　4.9.2  采用深槽（DT）隔离结构的STI界定的p+/n阱二极管
　　4.9.3  采用槽（TI）隔离结构的STI界定的p+/n阱二极管
　　4.10  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第5章  绝缘体上硅（SOI）ESD设计
　　5.1  SOI ESD基本概念
　　5.2  SOI ESD设计：带体接触的MOSFET（T形版图）
　　5.3  SOI ESD设计：SOI横向二极管结构
　　5.3.1  SOI横向二极管设计
　　5.3.2  SOI横向二极管周长设计
　　5.3.3  SOI横向二极管沟道长度设计
　　5.3.4  SOI横向二极管p+/n-/n+二极管结构
　　5.3.5  SOI横向二极管p+/p-/n+二极管结构
　　5.3.6  SOI横向二极管p+/p-/n-/n+二极管结构
　　5.3.7  无栅SOI横向p+/p-/n-/n+二极管结构
　　5.3.8  SOI横向二极管结构和SOI MOSFET晕
　　5.4  SOI ESD设计：掩埋电阻（BR）元件
　　5.5  SOI ESD设计：SOI动态阈值电压MOSFET（DTMOS）
　　5.6  SOI ESD设计：双-栅（DG）MOSFET
　　5.7  SOI ESD设计：FINFET（非平面双栅）结构
　　5.8  SOI ESD设计：衬底结构
　　5.9  SOI ESD设计：SOI-to-BULK接触结构
　　5.10  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第6章  片外驱动（OCD）和ESD
　　6.1  片外驱动（OCD）
　　6.1.1  OCD I/O标准和ESD
　　6.1.2  OCD：ESD设计基础
　　6.1.3  OCD：CMOS非对称上拉/下拉
　　6.1.4  OCD：CMOS对称上拉/下拉
　　6.1.5  OCD：Gunning接收电路逻辑（GTL）
　　6.1.6  OCD：高速收发器逻辑（HSTL）
　　6.1.7  OCD：短截线串联端接逻辑（SSTL）
　　6.2  片外驱动：混合电压接口
　　6.3  片外驱动自偏置阱OCD网络
　　6.3.1  OCD：自偏置阱OCD网络
　　6.3.2  自偏置阱OCD网络的ESD保护网络
　　6.4  片外驱动：可编程阻抗（PIMP）OCD网络
　　6.4.1  OCD：可编程阻抗（PIMP）OCD网络
　　6.4.2  针对PIMP OCD的ESD输入保护网络
　　6.5  片外驱动：通用OCD
　　6.6  片外驱动：门阵列OCD设计
　　6.6.1  门阵列OCD ESD设计实现
　　6.6.2  门阵列OCD设计：未使用元件的利用
　　6.6.3  门阵列OCD设计：未使用元件的阻抗匹配
　　6.6.4  OCD ESD设计：多指MOSFET上的电源轨
　　6.7  片外驱动：栅调制网络
　　6.7.1  OCD栅调制MOSFET ESD网络
　　6.7.2  OCD简化栅调制网络
　　6.8  片外驱动ESD设计：耦合与镇流技术的综合
　　6.8.1  带有二极管的MOSFET 源极启动的栅自举电阻镇流多指MOSFET
　　6.8.2  MOSFET源极启动栅自举电阻镇流多指MOSFET
　　6.8.3  栅耦合多米诺效应电阻镇流 MOSFET
　　6.9  片外驱动ESD的设计：衬底调制的电阻镇流MOSFET
　　6.10  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第7章  接收电路和ESD
　　7.1  接收电路和ESD
　　7.1.1  接收电路及其接收电路延时
　　7.1.2  接收电路性能和ESD负载效应
　　7.2  接收电路和ESD
　　7.2.1  接收电路和HBM
　　7.2.2  接收电路和CDM
　　7.3  接收电路及其发展
　　7.3.1  带有半通传输门的接收电路
　　7.3.2  带有全通传输门的接收电路
　　7.3.3  接收电路、半通传输门和保持网络
　　7.3.4  接收电路、半通传输门和改进的保持器网络
　　7.4  伪零VT半通传输门的接收电路
　　7.5  零传输门接收电路
　　7.6  泄放晶体管接收电路
　　7.7  具有测试功能的接收电路
　　7.8  施密特触发器反馈网络的接收电路
　　7.9  双极性晶体管接收电路
　　7.9.1  双极性单端接收电路
　　7.9.2  双极性差分接收电路
　　7.10  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第8章  SOI ESD电路和设计整合
　　8.1  SOI ESD设计整合
　　8.1.1  SOI ESD设计相对于体CMOS ESD设计的优点
　　8.1.2  SOI相对于体CMOS 在ESD设计版图上的缺点
　　8.1.3  SOI设计版图：T形版图风格
　　8.1.4  SOI设计版图：混合电压接口（MVI）T形版图风格
　　8.2  SOI ESD设计：二极管设计
　　8.3  SOI ESD二极管设计：混合电压接口（MVI）环境
　　8.4  具有铝互连的SOI CPU中的SOI ESD网络
　　8.5  铜（Cu）互连的SOI ESD设计
　　8.6  栅电路中的SOI ESD设计
　　8.7  SOI及动态阈值ESD网络
　　8.8  SOI技术及各种ESD问题
　　8.9  本章小结
　　习题
　　参考文献
　　第9章  ESD电源钳位
　　9.1  ESD电源钳位设计准则
　　9.2  ESD电源钳位：基于二极管
　　9.2.1  ESD电源钳位：串联二极管作为核心钳位
　　9.2.2  ESD电源钳位：串联二极管为核心钳位——金属包层设计理念
　　9.2.3  ESD电源钳位：串联二极管作为核心钳位——升压设计理念
　　9.2.4  ESD电源钳位：串联二极管串作为核心钳位——悬臂设计理念
　　9.2.5  ESD电源钳位：三阱串联二极管作为核心钳位
　　9.2.6  ESD电源钳位：SOI串联二极管ESD电源钳位
　　9.3  ESD电源钳位：基于MOSFET
　　9.3.1  CMOS RC触发MOSFET ESD电源钳位
　　9.3.2  混合电压接口RC触发ESD电源钳位
　　9.3.3  电压触发的MOSFET ESD电源钳位
　　9.3.4  改善的RC触发的MOSFET ESD电源钳位
　　9.3.5  RC网络触发的MOSFET ESD电源钳位布局
　　9.4  ESD电源钳位：基于双极性晶体管
　　9.4.1  双极性ESD电源钳位：电压触发ESD电源钳位
　　9.4.2  双极性ESD电源钳位：齐纳击穿电压触发
　　9.4.3  双极性ESD电源钳位：BVCEO电压触发ESD电源钳位
　　9.4.4  双极性ESD电源钳位：混合电压接口正偏电压和BVCEO击穿综合的
　　双极性ESD电源钳位
　　9.4.5  双极性ESD电源钳位：超低压正偏电压触发器
　　9.4.6  双极性ESD电源钳位：容性触发
　　9.5  ESD电源钳位：基于整流器的硅控整流器
　　9.6  本章小结
　　习题
　　参考文献

　　史蒂文·H_沃尔德曼博士1979年在巴法罗大学获得工学学士学位；1981年在麻省理工学院获得电气工程硕士学位；在IBM实习项目的帮助下，1986年在佛蒙特州大学获得工程物理学硕士，1991年获得博士学位。在麻省理工学院他是等离子体聚变中心和高电压研究实验室（HvRL）的成员。在IBM，他作为可靠性／器件工程师的工作内容是在双极性／CMOSSRM的a粒子和宇宙射线SER仿真方面进行开创性工作，另外涉及栅诱导漏极漏电（GIDL）机制、热电子、外延／阱设计、CMOS闩锁和ESD等方面。自1986年以来，他负责为IBM确定CMOS、SOI、BiCMOS、RF CMOS和SiGe工艺的ESD／闩锁对策。在比例缩小MOS晶体管、器件模拟、铜、低介电系数、磁组式磁头、CMOS、SOI、SiGe和SiGeC技术等领域，他出版了ESD和闩锁方面的著作。沃尔德曼为SEMATECH（美国半导体行业技术联盟）ESD工作组主席（1996—2000），ESD联合技术组成员（2000）、副主席（2001）和主席（2002），ESDA（电子系统设计自动化）理事会（1998—2004）、国际可靠性物理（IRPS）ESD／闩锁分委员会主席（2002—2004），国际物理与失效分析（IPFA）研讨会ESD分委员会主席（2003—2005），ESD学会的传输线脉冲测试标准发展会议主席（2000—2004），ESD国际教育委员会（ICE）亚洲大学联络人和“校园ESD”大学讲座项目发起人，并且服务于电过压／静电放电（EOS／ESD）学术会议、中国台湾ESD会议（T-ESDC）、双极性电路技术会议（BCTM）和国际电磁兼容（ICEMAC，台北，中国台湾）程序委员会。在美国、新加坡、马来西亚、中国台湾和大陆，沃尔德曼给许多大学研究所开设了ESD讲座。他拥有超过144项美国专利，超过125本出版物，并于最近写了题为《ESD：物理与器件》的首本ESD教科书，题为《ESD：射频技术和电路》的第三本教科书，并且作为合作者写了《锗硅：建模，技术和模拟》一书。沃尔德曼也提供专利、企业发明和发明家的话题。在“EE Times”、“Intellectual Property L,awand Business”两家网站他的知名度很高。在《Scientific American》（2002年10月）他撰写了有关ESD现象的第一篇文章“Lightning Rods for Nanoelectronics”，并且发表在Pour La Science、Le Scienze和Swim Nauk国际版。2003年为表彰其在CMOS、SOI和SiGe静电保护方面所做的贡献，沃尔德曼博士成为第一个研究半导体ESD现象的IEEE院士。

　　本书译自美国史蒂文·H. 沃尔德曼著《ESD CIRCUITS AND DEVICES》一书。本书系统地介绍了抗静电放电（ESD）电路设计和版图设计，并给出了大量实例。主要内容有：ESD中的基本概念及ESD的设计方法；采用MOS管和二极管的ESD设计的解析模型和实验结果；各种ESD电路网络及应用；ESD输入电路及ESD电源钳位网络等。
　　本书为作者的ESD系列专著的第二本，对于专业集成电路设计和系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可作为微电子学和集成电路设计专业高年级学生和研究生的参考书。