碳化硅晶体生长与缺陷

　　前言
　　1 碳化硅晶体的多型结构与表征
　　1.1 晶体的多型
　　1.2 碳化硅晶体的结构层与基本结构单元
　　1.3 碳化硅晶体多型的共生与连生
　　1.4 3C-SiC多型的结构
　　1.5 2H-SiC多型的结构
　　1.6 4H-SiC多型的结构
　　1.7 6H-SiC多型的结构
　　1.8 15R-SiC多型的结构
　　1.9 碳化硅晶体多型结构参数的变化
　　1.10 碳化硅晶体多型结构鉴别概述
　　1.11 X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构
　　1.12 高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构
　　1.13 吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
　　1.14 拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
　　符号说明和注解
　　2 碳化硅晶体的物理气相输运（PVT）法生长
　　2.1 硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图
　　2.2 固态碳化硅分解升华的热力学研究
　　2.3 PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程
　　2.4 PVT法碳化硅晶体生长系统概述
　　2.5 PVT法碳化硅晶体生长模型研究
　　2.6 PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量
　　2.7 PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合
　　2.8 生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变
　　2.9 石墨坩埚生长腔内温度场的演变
　　符号说明和注解
　　3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制
　　3.1 气相组分概述
　　3.2 PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制
　　3.3 气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位
　　3.4 纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量
　　3.5 纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量
　　3.6 硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量
　　3.7 气相组分SimCn构型的转变
　　3.8 气相组分SimCn的化学序
　　3.9 气相组分SimCn的相互作用
　　3.10 气相组分SimCn在生长界面上的结晶
　　符号说明和注解
　　4 碳化硅晶体的结晶缺陷
　　4.1 碳化硅晶体结晶缺陷概述
　　4.2 碳化硅晶片结晶质量的整体评价
　　4.3 碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价
　　4.4 多型共生缺陷
　　4.5 镶嵌结构缺陷
　　4.6 堆垛层错
　　4.7 孔道与微管道
　　符号说明和注解
　　后记

　　    《碳化硅晶体生长与缺陷》系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。《碳化硅晶体生长与缺陷》从碳化硅晶体结构出发，把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量／能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线，从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。
　　    《碳化硅晶体生长与缺陷》可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考，亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读。