第1章 半导体产业介绍
目标
1.1 引言
1.2 产业的发展
1.3 电路集成
1.4 集成电路制造
1.5 半导体趋势
1.6 电子时代
1.7 在半导体制造业中的职业
1.8 小结
第2章 半导体材料特性
目标
2.1 引言
2.2 原子结构
2.3 周期表
2.4 材料分类
2.5 硅
2.6 可选择的半导体材料
2.7 小结
第3章 器件技术
目标
3.1 引言
3.2 电路类型
3.3 无源元件结构
3.4 有源元件结构
3.5 CMOS器件的闩锁效应
3.6 集成电路产品
3.7 小结
第4章 硅和硅片制备
目标
4.1 引言
4.2 半导体级硅
4.3 晶体结构
4.4 晶向
4.5 单晶硅生长
4.6 硅中的晶体缺陷
4.7 硅片制备
4.8 质量测量
4.9 外延层
4.10 小结
第5章 半导体制造中的化学品
目标
5.1 引言
5.2 物质形态
5.3 材料的属性
5.4 工艺用化学品
5.5 小结
第6章 硅片制造中的沾污控制
目标
6.1 引言
6.2 沾污的类型
6.3 沾污的源与控制
6.4 硅片湿法清洗
6.5 小结
第7章 测量学和缺陷检查
目标
7.1 引言
7.2 集成电路测量学
7.3 质量测量
7.4 分析设备
7.5 小结
第8章 工艺腔内的气体控制
目标
8.1 引言
8.2 真空
8.3 真空泵
8.4 工艺腔内的气流
8.5 残气分析器
8.6 等离子体
8.7 工艺腔的沾污
8.8 小结
第9章 集成电路制造工艺概况
目标
9.1 引言
9.2 CMOS工艺流程
9.3 CMOS制作步骤
9.4 小结
第10章 氧化
目标
10.1 引言
10.2 氧化膜
10.3 热氧化生长
10.4 高温炉设备
10.5 卧式与立式炉
10.6 氧化工艺
10.7 质量测量
10.8 氧化检查及故障排除
10.9 小结
第11章 淀积
目标
11.1 引言
11.2 膜淀积
11.3 化学气相淀积
11.4 CVD淀积系统
11.5 介质及其性能
11.6 旋涂绝缘介质
11.7 外延
11.8 CVD质量测量
11.9 CVD检查及故障排除
11.10 小结
第12章 金属化
目标
12.1 引言
12.2 金属类型
12.3 金属淀积系统
12.4 金属化方案
12.5 金属化质量测量
12.6 金属化检查及故障排除
12.7 小结
第13章 光刻：气相成底膜到软烘
目标
13.1 引言
13.2 光刻工艺
13.3 光刻工艺的8个基本步骤
13.4 气相成底膜处理
13.5 旋转涂胶
13.6 软烘
13.7 光刻胶质量测量
13.8 光刻胶检查及故障排除
13.9 小结
第14章 光刻：对准和曝光
目标
14.1 引言
14.2 光学光刻
14.3 光刻设备
14.4 混合和匹配
14.5 对准和曝光质量测量
14.6 对准和曝光检查及故障排除
14.7 小结
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术
目标
15.1 引言
15.2 曝光后烘焙
15.3 显影
15.4 坚膜
15.5 显影检查
15.6 先进的光刻技术
15.7 显影质量测量
15.8 显影检查及故障排除
15.9 小结
第16章 刻蚀
目标
16.1 引言
16.2 刻蚀参数
16.3 干法刻蚀
16.4 等离子体刻蚀反应器
16.5 干法刻蚀的应用
16.6 湿法腐蚀
16.7 刻蚀技术的发展历程
16.8 去除光刻胶
16.9 刻蚀检查
16.10 刻蚀质量测量
16.11 干法刻蚀检查及故障排除
16.12 小结
第17章 离子注入
目标
17.1 引言
17.2 扩散
17.3 离子注入
17.4 离子注入机
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势
17.6 离子注入质量测量
17.7 离子注入检查及故障排除
17.8 小结
第18章 化学机械平坦化
目标
18.1 引言
18.2 传统的平坦化技术
18.3 化学机械平坦化
18.4 CMP应用
18.5 CMP质量测量
18.6 CMP检查及故障排除
18.7 小结
第19章 硅片测试
目标
19.1 引言
19.2 硅片测试
19.3 测试质量测量
19.4 测试检查及故障排除
19.5 小结
第20章 装配与封装
目标
20.1 引言
20.2 传统装配
20.3 传统封装
20.4 先进的装配与封装
20.5 封装与装配质量测量
20.6 集成电路封装检查及故障排除
20.7 小结
附录A 化学品及安全性
附录B 净化间的沾污控制
附录C 单位
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色
附录E 光刻胶化学的概要
附录F 刻蚀化学
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