抗辐射集成电路概论

　　第1章 绪论
　　1.1 抗辐射集成电路技术发展概况
　　1.2 抗辐射集成电路技术的发展方向
　　1.2.1 soi技术
　　1.2.2 抗辐射设计技术
　　1.2.3 新材料、新结构
　　1.3 本书的章节安排
　　第2章 辐射环境
　　2.1 空间环境
　　2.1.1 内辐射带
　　2.1.2 槽形辐射带
　　2.1.3 外辐射带和准俘获区
　　2.1.4 地磁尾区和低高度区
　　2.1.5 银河宇宙射线
　　2.1.6 太阳耀斑
　　2.2 核爆炸辐射环境
　　2.2.1 大气层外爆炸
　　2.2.2 大气层内爆炸
　　2.3 核动力辐射
　　第3章 辐射效应
　　3.1 总剂量辐射效应
　　3.2 中子辐射效应
　　3.3 瞬时辐射效应
　　3.4 单粒子效应
　　3.4.1 单粒子瞬变效应和单粒子翻转效应
　　3.4.2 单粒子闩锁效应
　　3.4.3 单粒子功能中断
　　3.4.4 单粒子烧毁效应和单粒子栅穿效应
　　3.5 剂量增强效应
　　3.6 低剂量率效应
　　第4章 抗辐射双极集成电路设计
　　4.1 双极集成电路的制造工艺
　　4.2 双极集成电路的晶体管
　　4.3 双极集成电路的二极管
　　4.4 集成电路中的无源元件
　　4.5 双极晶体管的辐射效应
　　4.5.1 中子辐射对双极晶体管特性的影响
　　4.5.2 丁射线或x射线的瞬时辐射效应
　　4.6 结构及工艺加固技术
　　4.6.1 减薄基区宽度
　　4.6.2 优化集电区参数
　　4.6.3 优化金属化材料
　　4.6.4 表面钝化技术
　　4.6.5 预先增加基区复合
　　4.7 电路设计加固技术
　　4.7.1 中子注量加固
　　4.7.2 对瞬时辐射加固技术
　　4.8 双极数字电路
　　4.9 双极模拟电路
　　4.9.1 运算放大器
　　4.9.2 比较器
　　4.9.3 稳压电源
　　第5章 抗辐射mos集成电路设计
　　第6章 微处理器加固技术
　　第7章 存储器加固技术
　　第8章 fpga加固技术
　　第9章 模型参数
　　第10章 集成电路抗辐射性能评估
　　词汇表
　　参考文献

　　    《抗辐射集成电路概论》论述抗辐射集成电路方面的知识。《抗辐射集成电路概论》共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射mos集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、fpga加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估。
　　    《抗辐射集成电路概论》可作为高等学校电子科学与技术类专业选修教材，或从事相关研究的科技人员的参考书。