出版说明
前言
第1章 半导体特性
1.1 半导体的晶体结构
1.1.1 晶体的结构
1.1.2 晶体的各向异性
1.2 半导体的电性能
1.2.1 温度和半导体
1.2.2 杂质和半导体
1.2.3 光照和半导体
1.2.4 其他因素和半导体
1.3 半导体中的电子状态和能带
1.3.1 电子的共有化运动
1.3.2 电子状态和能带
1.4 半导体中的杂质和缺陷
1.4.1 半导体中的杂质和杂质能级
1.4.2 半导体中的缺陷和缺陷能级
1.5 载流子的运动
1.5.1 载流子浓度与费米能级位置的关系
1.5.2 本征半导体的载流子浓度
1.5.3 杂质半导体的载流子浓度
1.5.4 载流子的漂移运动
1.5.5 载流子的扩散运动
1.6 非平衡载流子
1.6.1 非平衡载流子的产生和复合
1.6.2 非平衡载流子的寿命
1.6.3 复合理论
1.7 习题
第2章 P-N结
2.1 P-N结及其能带图
2.1.1 P-N结的形成和杂质分布
2.1.2 P-N结的能带图
2.1.3 P-N结的载流子分布
2.2 平衡P-N结
2.2.1 空间电荷区和接触电势差
2.2.2 空间电荷区的电场和电位分布
2.3 P-N结直流特性
2.3.1 非平衡状态的P-N结
2.3.2 P-N结伏安特性
2.3.3 影响P-N结电流电压特性偏离理想方程的各种因素
2.4 P-N结电容
2.4.1 P-N结电容的形成
2.4.2 突变结的势垒电容
2.4.3 线性缓变结的势垒电容
2.4.4 扩散电容
2.5 P-N结击穿
2.5.1 雪崩击穿
2.5.2 隧道击穿
2.5.3 热电击穿
2.5.4 雪崩击穿电压Vn的计算
2.5.5 影响雪崩击穿电压的因素
2.6 习题
第3章 晶体管的直流特性
3.1 概述
3.1.1 晶体管的基本结构及杂质分布
3.1.2 晶体管中载流子浓度分布及传输
3.1.3 晶体管的直流电流放大系数
3.1.4 晶体管的特性曲线
3.2 平面晶体管的电流放大系数及影响电流放大系数的因素
3.2.1 平面晶体管的自建电场
3.2.2 平面晶体管电流放大系数
3.3 晶体管的反向电流
3.3.1 ICBO
3.3.2 IEBO
3.3.3 ICEO
3.4 晶体管的击穿电压
3.4.1 BVCBO和BVCBO
3.4.2 BVCEO
3.5 晶体管的基极电阻
3.5.1 梳状晶体管的基极电阻
3.5.2 圆形晶体管的基极电阻
3.6 习题
第4章 晶体管的频率特性与功率特性
4.1 晶体管的频率特性
4.1.1 晶体管的截止频率、特征频率和最高振荡频率
4.1.2 共基极短路电流放大系数与频率的关系
4.1.3 共发射极短路电流放大系数及其截止频率
4.1.4 晶体管的特征频率fT
4.1.5 提高特征频率的途径
4.2 高频等效电路
4.3 高频功率增益和最高振荡频率
4.3.1 高频功率增益
4.3.2 最佳功率增益GPm
4.3.3 最高振荡频率和高频优值
4.3.4 功率增益随工作点的变化及提高功率增益的途径
4.4 晶体管的大电流特性
4.4.1 集电极最大电流
4.4.2 大电流工作时产生的3个效应
4.5 晶体管的最大耗散功率Pcm和热阻Rr
4.6 功率晶体管的二次击穿和安全工作区
4.6.1 晶体管的二次击穿
4.6.2 晶体管的安全工作区（SOA）
4.7 高频大功率晶体管的图形结构
4.8 习题
第5章 晶体管的开关特性
5.1 二极管的开关作用和反向恢复时间
5.1.1 二极管的开关作用
5.1.2 二极管的反向恢复时间
5.2 开关晶体管的静态特性
5.2.1 晶体管的开关作用
5.2.2 开关晶体管的工作状态
5.3 晶体管开关的动态特性
5.3.1 晶体管的工作区与开关原理
5.3.2 晶体管开关过程的动态分析
5.4 习题
第6章 双极型晶体管的设计
6.1 概述
6.2 高频大功率晶体管的设计
6.2.1 根据使用要求确定主要参数及其指标
6.2.2 纵向结构参数的确定
6.2.3 横向结构参数的确定
6.2.4 主要电学参数的验算
6.3 习题
第7章 半导体表面特性及MOS电容
7.1 半导体表面和界面结构
7.1.1 清洁表面和真实表面
7.1.2 硅.二氧化硅界面的结构
7.2 表面势
7.2.1 空间电荷区和表面势
7.2.2 表面的积累、耗尽和反型
7.3 MOS结构的电容.电压特性
7.3.1 理想MOS的C-V特性
7.3.2 实际MOS的C-V特性曲线
7.4 MOS结构的阈值电压
7.4.1 理想MOS结构的阈值电压
7.4.2 实际MOS结构的阈值电压
7.5 习题
第8章 MOS场效应晶体管的基本特性
8.1 MOSFET的结构和分类
8.1.1 MOSFET的结构
8.1.2 MOSFET的4种类型
8.1.3 MOSFEY的特征
8.2 MOSFET的特性曲线
8.2.1 MOSFET的输出特性曲线
8.2.2 MOSFET的转移特性曲线
8.3 MOSFET的阈值电压
8.3.1 N沟道MOSFET的阈值电压
8.3.2 P沟道MOSFET的阈值电压
8.4 MOSFEr的伏安特性
8.4.1 线性工作区的伏安特性
8.4.2 饱和工作区的伏安特性
8.4.3 击芽区
8.5 MOSFET的频率特性
8.5.1 跨导gm
8.5.2 MOSFET最高振荡频率
8.6 MOSFEET的开关特性
8.6.1 MOS倒相器的定性描述
8.6.2 MOSFET的开关特性
8.7 阈值电压VT的控制和调整
8.8习题
第9章 MOS功率场效应晶体管
9.1 用作功率放大和开关的MOS功率场效应晶体管
9.1.1 用作功率放大的MOS功率场效应晶体管
9.1.2 用作开关的MOS功率场效应晶体管
9.2 MOS功率场效应晶体管的结构
9.2.1 二维横向结构
9.2.2 三维结构
9.3 DMOS晶体管的击穿电压
9.3.1 雪崩击穿
9.3.2 穿通电压
9.4 DMOS晶体管的二次击穿
9.5 温度对MOS晶体管特性的影响
9.5.1 温度对载流子迁移率的影响
9.5.2 温度对阈值电压的影响
9.5.3 温度对漏、源电流、跨导及导通电阻的影响
9.6 习题
第10章 小尺寸MOS器件的特点
10.1 非均匀掺杂对阈值电压的影响
10.1.1 阶梯函数分布近似
10.1.2 高斯分布情况
10.2 MOSFET的小尺寸效应
10.2.1 MOSFET的短沟道效应
10.2.2 MOSFET的窄沟道效应
10.2.3 MOSFET按比例缩小规则
10.2.4 热电子效应
10.3 习题
附录
附录A 扩散结电容和势垒宽度的计算曲线
附录B 硅扩散层表面杂质浓度与扩散层平均电导率的关系曲线
参考文献
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