国外优秀信息科学与技术系列教学用书：模拟集成电路的分析与设计（第4版）（影印版）

　　CHAPTER 1
　　Models for Integrated-Circuit Active
　　Devices 1
　　1.1
　　Introduction 1
　　1.2
　　Depletion Region of a pn Junction 1
　　1.2.1 Depletion-RegionCapacitance 5
　　1.2.2 Junction Breakdown 6
　　1.3
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　　集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。

　　CHAPTER 1
　　Models for Integrated-Circuit Active
　　Devices 1
　　1.1
　　Introduction 1
　　1.2
　　Depletion Region of a pn Junction 1
　　1.2.1 Depletion-RegionCapacitance 5
　　1.2.2 Junction Breakdown 6
　　1.3
　　Large-Signal Behavior of Bipolar Transistors 8
　　1.3.1 Large-Signal Models in the Forward-Active Region 9
　　1.3.2 Effects of Collector Voltage on Large-Signal Characteristics in the Forward-Active Region 14
　　1.3.3 Saturation and Inverse Active Regions 16
　　1.3.4 Transistor Breakdown Voltages 20
　　1.3.5 Dependence of Transistor Current Gain/3r on Operating Conditions 23
　　1.4
　　Small-Signal Models of Bipolar Transistors 26
　　1.4.1 Transconductance 27
　　1.4.2 Base-ChargingCapacitance 28
　　1.4.3 Input Resistance
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　　集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。