微电子专业英语

　　目  录
　　Session 1   Introduction to Semiconductor    
　　  1.1   What is Semiconductor   
　　  1.2   Classification of Semiconductor    
　　  Reading Materials   
　　Session 2   Crystal Structure    
　　  2.1   Primitive Cell and Crystal Plane    
　　  2.2   Atomic Bonding    
　　  Reading Materials    
　　Session 3   Band Model    
　　  3.1   Introduction to Quantum Mechanics   
　　  3.2   Band    
　　  3.3   Effective Mass Theory    
　　  Reading Materials   
　　Session 4   The Semiconductor in Equilibrium   
　　  4.1   Charge Carriers in Semiconductor   
　　  4.2   Intrinsic Semiconductor   
　　  4.3   Extrinsic Semiconductor    
　　  Reading Materials   
　　Session 5   Carrier Transport    
　　  5.1   Overview of Carrier Transport    
　　  5.2   Low Field Transport   
　　  5.3   High Field Transport    
　　  5.4   Diffusion Current    
　　Session 6   Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor    
　　  6.1   Recombination    
　　  6.2   Minority Carrier Lifetime    
　　  6.3   Ambipolar Transport    
　　  Reading Materials
　　Session 7   The pn Junction （    Ⅰ    ）  
　　  7.1   Introduction    
　　  7.2   Basic Structure of the pn Junction    
　　  7.3   Energy Bands for a pn Junction   
　　  7.4   Ideal CurrentVoltage Relationship  
　　  7.5   Characteristics of a Practical Diode   
　　  Reading Materials    
　　Session 8   The pn Junction（    Ⅱ    ）   
　　  8.1   Breakdown in pn Junction    
　　  8.2   SmallSignal Diffusion Resistance of the pn Junction     
　　  8.3   Junction Capacitance   
　　  8.4   Diffusion or Storage Capacitance   
　　  8.5   Diode Transients    
　　  8.6   Circuit Models for Junction Diodes    
　　  Reading Materials     
　　Session 9   MetalSemiconductor Contacts    
　　  9.1   Schottky Contacts   
　　  9.2   Ohmic Contacts   
　　  Reading Materials     
　　Session 10   Heterojunctions    
　　  10.1   Strain and Stress at Heterointerfaces 
　　  10.2   Heterojunction Materials   
　　  10.3   EnergyBand Diagrams    
　　  Reading Materials.   
　　Session 11   The Bipolar Junction Transistor （    Ⅰ    ）   
　　  11.1   The Bipolar Junction Transistor Construction   
　　  11.2   Transistor Action   
　　  11.3   Nonideal Effects   
　　  11.4   Base Resistance    
　　  Reading Materials    
　　Session 12   The Bipolar Junction Transistor (    Ⅱ    )   
　　  12.1   Breakdown Voltage    
　　  12.2   Frequency Limits of BJT   
　　  12.3   The SchottkyClamped Transistor   
　　  12.4   Smallsignal Transistor Model   
　　  Reading Materials  
　　Session 13   Basics of MOSFETs  
　　  13.1   Introduction   
　　  13.2   General Characteristics of a MOSFET    
　　  13.3   MOS System    
　　  13.4   Work Function Differences    
　　  13.5   FlatBand Voltage    
　　  13.6   Threshold Voltage  
　　  Reading Materials    
　　Session 14   Nonideal Effects of MOSFETs  
　　  14.1   Introduction   
　　  14.2   Effective Mobility  
　　  14.3   Velocity Saturation    
　　  14.4   Channellength Modulation   
　　  14.5   DIBL   
　　  14.6   Hotcarrier Effect    
　　  14.7   GIDL    
　　  Reading Materials    
　　Session 15   Advanced MOSFET Devices    
　　  15.1   Introduction  
　　  15.2   Channel Doping Profile    
　　  15.3   Gate Stack    
　　  15.4   Source/Drain Design    
　　  15.5   SchottkyBarrier Source/Drain    
　　  15.6   Raised Source/Drain    
　　  15.7   SOI    
　　  15.8   Three Dimensional Structure     
　　  Reading Materials 
　　Session 16   Introduction to Integrated Circuits
　　  16.1   Introduction    
　　  16.2   Size and Complexity of Integrated Circuits    
　　  16.3   Semiconductor Device for Integrated Circuits    
　　  16.4   IC Design Process    
　　  Reading Materials  
　　Session 17   Analog Integrated Circuits Design    
　　  17.1   Introduction   
　　  17.2   Analog Signal Processing    
　　  17.3   CMOS Technology    
　　  17.4   Amplifiers    
　　  17.5   Differential Amplifiers    
　　  17.6   Operational Amplifiers   
　　  17.7   Characterization of Op Amps   
　　  Reading Materials    
　　Session 18   Digital Integrated Circuits Design    
　　  18.1   Introduction    
　　  18.2   The Static CMOS Inverter    
　　  18.3   Designing Combinational Logic Gates in CMOS   
　　  Reading Materials    
　　Session 19   Radio Frequency Integrated Circuits Design   
　　  19.1   Introduction   
　　  19.2   RF System Performance Metrics    
　　  19.3   RF Transceiver Architectures   
　　  19.4   RF Passive Component

　　本书以英文的形式介绍了微电子学和集成电路设计的相关技术。全书共分四部分：第一部分为半导体物理基础知识，包括晶格结构、能带结构、载流子浓度和输运等；第二部分介绍半导体器件物理基础理论，包括pn结、肖特基二极管、异质结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管；第三部分简要阐述半导体集成电路的设计过程和设计方法；第四部分介绍
　　半导体集成电路的制造工艺。
　　    本书可作为高等学校微电子学、集成电路设计及相关专业的“专业英语”课程的教材，也可作为从事微电子和集成电路相关科研和工程技术人员的参考书。