改性锗半导体物理

　　本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。
　　本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。

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